【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子通信，具体而言，涉及一种采用ldmos器件的射频功率放大器。
技术介绍
1、射频功率放大器一般采用双极型晶体管来构成推挽结构，耐瞬时功率和驻波比性能较差，导致输出稳定性和输出功率水平较低；ldmos（横向扩散金属氧化物半导体）器件是高频大功率器件，ldmos的性能优于双极型晶体管，其能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，还能承受较高的反射功率，并且因为其具有高值的瞬时峰值功率，所以能在一定程度上承受输入信号的过激励；另外ldmos具有较平滑的增益曲线，输出稳定性较高。因此，需要寻求一种利用ldmos器件构成推挽结构的射频功率放大器，以提高输出稳定性和输出功率水平。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种采用ldmos器件的射频功率放大器，能够提高输出稳定性和输出功率水平。
2、本申请提供了一种采用ldmos器件的射频功率放大器，包括：
3、推挽电路，所述推挽电路包括两个ldmos场效应晶体管，两个所述ldmos场效应晶体管的源极接地；
4、输入变压器，所述输入变压器的输入端与射频输入端连接，且所述输入变压器的输出端具有带中心抽头的两路独立输出；两路所述独立输出分别连接两个所述ldmos场效应晶体管的栅极；所述输入变压器的射频输出阻抗与两个所述ldmos场效应晶体管的源阻抗之间阻抗共轭；
5、阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路连接在两个所述ldmos场效应晶体管的漏极和源极之间，并用于对所述ldmos场效应晶体管的负载端的
6、传输线变压器，所述传输线变压器的输入端与两个所述ldmos场效应晶体管的漏极连接，并用于对所述ldmos场效应晶体管的负载端的实际阻抗值匹配至输出阻抗为50欧姆；
7、巴仑变压器，所述巴仑变压器连接在所述传输线变压器的输出端与射频输出端之间，并用于把所述传输线变压器输出的双端射频能量结合为单端输出信号以及消除输出信号的共模干扰。
8、该射频功率放大器，采用ldmos场效应晶体管组成推挽电路，提高了射频功率放大器对瞬时高功率输入和高驻波比的承受能力，并能够提高输出稳定性和输出功率水平；此外，通过输入变压器、阻抗匹配电路和传输线变压器的阻抗匹配作用，能够减少功率传输过程中产生的回波损耗，进一步提高输出稳定性和输出功率水平；而且，该射频功率放大器的拓扑结构简单，器件精简。
9、优选地，两个所述ldmos场效应晶体管的引脚排列互为镜像。
10、从而，在进行pcb布局时，可把两个ldmos场效应晶体管进行对称排布，此时，可以减少pcb布线的杂散程度，有利于使pcb布局更加简易。
11、可选地，两个所述ldmos场效应晶体管分别为mrf300an晶体管和mrf300bn晶体管。
12、该两个型号的ldmos场效应晶体管的引脚之间具有互为镜像的排布方式，除此以外的其它性能相同。
13、优选地，所述传输线变压器为1:9传输线变压器。
14、优选地，所述的采用ldmos器件的射频功率放大器，还包括两个偏置电路和两个直流电压电路，两个所述偏置电路分别与两个所述ldmos场效应晶体管的栅极和源极连接，两个所述直流电压电路分别与所述ldmos场效应晶体管的漏极和源极连接；两个所述偏置电路分别用于向两个所述ldmos场效应晶体管的栅极和源极之间提供直流电压，两个所述直流电压电路分别用于向两个所述ldmos场效应晶体管的漏极和源极之间提供直流电压。
15、优选地，所述输入变压器的输入端的第一引脚与所述射频输入端连接，所述输入变压器的输入端的第二引脚接地；所述输入变压器的输入端的第一引脚与所述射频输入端之间连接有第一隔直电容。
16、优选地，所述输入变压器的两路所述独立输出与两个所述ldmos场效应晶体管的栅极之间，各设置有第二隔直电容。
17、优选地，所述阻抗匹配电路包括至少两个相互并联地连接在其中一个所述ldmos场效应晶体管的源极和漏极之间的匹配电容，以及至少两个相互并联地连接在另一个所述ldmos场效应晶体管的源极和漏极之间的匹配电容。
18、优选地，所述传输线变压器的两路输出与所述巴仑变压器的两路输入之间设置有第三隔直电容。
19、优选地，所述巴仑变压器为1:1扼流圈巴仑变压器，所述巴仑变压器的输出端的第一引脚与所述射频输出端连接，所述巴仑变压器的输出端的第二引脚接地。
20、有益效果：本申请提供的采用ldmos器件的射频功率放大器，采用ldmos场效应晶体管组成推挽电路，提高了射频功率放大器对瞬时高功率输入和高驻波比的承受能力，并能够提高输出稳定性和输出功率水平；此外，通过输入变压器、阻抗匹配电路和传输线变压器的阻抗匹配作用，能够减少功率传输过程中产生的回波损耗，进一步提高输出稳定性和输出功率水平；而且，该射频功率放大器的拓扑结构简单，器件精简。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，两个所述LDMOS场效应晶体管（101）的引脚排列互为镜像。
3.根据权利要求2所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，两个所述LDMOS场效应晶体管（101）分别为MRF300AN晶体管和MRF300BN晶体管。
4.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，所述传输线变压器（4）为1:9传输线变压器。
5.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，还包括两个偏置电路（8）和两个直流电压电路（12），两个所述偏置电路（8）分别与两个所述LDMOS场效应晶体管（101）的栅极和源极连接，两个所述直流电压电路（12）分别与所述LDMOS场效应晶体管（101）的漏极和源极连接；两个所述偏置电路（8）分别用于向两个所述LDMOS场效应晶体管（101）的栅极和源极之间提供直流电压，两个所述直流电压电路（12）分别用于向两个所述LDMOS场效应
6.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，所述输入变压器（2）的输入端的第一引脚与所述射频输入端（6）连接，所述输入变压器（2）的输入端的第二引脚接地；所述输入变压器（2）的输入端的第一引脚与所述射频输入端（6）之间连接有第一隔直电容（9）。
7.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，所述输入变压器（2）的两路所述独立输出与两个所述LDMOS场效应晶体管（101）的栅极之间，各设置有第二隔直电容（10）。
8.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，所述阻抗匹配电路（3）包括至少两个相互并联地连接在其中一个所述LDMOS场效应晶体管（101）的源极和漏极之间的匹配电容（301），以及至少两个相互并联地连接在另一个所述LDMOS场效应晶体管（101）的源极和漏极之间的匹配电容（301）。
9.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，所述传输线变压器（4）的两路输出与所述巴仑变压器（5）的两路输入之间设置有第三隔直电容（11）。
10.根据权利要求1所述的采用LDMOS器件的射频功率放大器，其特征在于，所述巴仑变压器（5）为1:1扼流圈巴仑变压器，所述巴仑变压器的输出端的第一引脚与所述射频输出端（7）连接，所述巴仑变压器的输出端的第二引脚接地。
...【技术特征摘要】
1.一种采用ldmos器件的射频功率放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的采用ldmos器件的射频功率放大器，其特征在于，两个所述ldmos场效应晶体管（101）的引脚排列互为镜像。
3.根据权利要求2所述的采用ldmos器件的射频功率放大器，其特征在于，两个所述ldmos场效应晶体管（101）分别为mrf300an晶体管和mrf300bn晶体管。
4.根据权利要求1所述的采用ldmos器件的射频功率放大器，其特征在于，所述传输线变压器（4）为1:9传输线变压器。
5.根据权利要求1所述的采用ldmos器件的射频功率放大器，其特征在于，还包括两个偏置电路（8）和两个直流电压电路（12），两个所述偏置电路（8）分别与两个所述ldmos场效应晶体管（101）的栅极和源极连接，两个所述直流电压电路（12）分别与所述ldmos场效应晶体管（101）的漏极和源极连接；两个所述偏置电路（8）分别用于向两个所述ldmos场效应晶体管（101）的栅极和源极之间提供直流电压，两个所述直流电压电路（12）分别用于向两个所述ldmos场效应晶体管（101）的漏极和源极之间提供直流电压。
6.根据权利要求1所述的采用ldmos器件的射频功率放大器，其特征在于，所述输入变压...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢佳纯，马聪伟，李晓峰，程远达，王功伟，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。