【技术实现步骤摘要】
本技术属于稳压器电路元件，尤其涉及一种有触点可控硅电路。
技术介绍
1、可控硅开关是一种大功率的电力电子开关，具有快速响应时间，广泛应用于对响应速度要求比较高的用电场合。且开关投切瞬间无过电流冲击，不会引起电压波动，不会产生机械开关的电火花问题。可控硅开关的其中进线端与配电网相连接，另一端与负载相连接。可以电平控制开关，也可以通讯控制开关，应用广泛。
2、众所周知，可控硅开关散热功能差，尤其是大电流应用场景下，如果不及时有效的将热量排出，开关容易因为温度过高引发安全事故。目前对于可控硅开关的散热方式有多种，包括机械散热和水冷散热等。例如申请号为201921911692.x的技术专利，公开一种智能可控硅开关，其通过散热的机械结构对可控硅产生的热量进行散热。例如申请号为202211422505.8的专利技术专利，公开一种用于可控硅结构的散热装置，其散热座既能进行水冷散热也能通过散热座本身进行热传递，散热效果好大大提升了热传导的效率。
3、但是，市面上大电流应用场景下的可控硅开关的散热装置结构较为复杂，增加的产品成本的同时，也增加了产品的结构复杂度，降低产品的使用寿命。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本技术提供了一种有触点可控硅电路，只在解决现有技术中大电流应用场景下的可控硅开关的散热装置结构较为复杂，增加的产品成本的同时，也增加了产品的结构复杂度，降低产品的使用寿命的问题。
2、本技术所提供的技术方案是：一种有触点可控硅电路，包括双向可控硅
3、所述双向可控硅的t1端引出的线路与输入电压连接，t2端引出的线路串接负载后与输出电压连接，所述继电器并接在所述双向可控硅的t1端和t2端上；
4、所述双向可控硅的gate端、继电器的控制端与单片机连接。
5、作为一种改进的方案，在所述负载导通的预设时间内，所述双向可控硅先于所述继电器先导通，所述继电器两端的电压差降低到第一预设电压值；
6、所述双向可控硅的压降为所述第一预设电压值。
7、作为一种改进的方案，当所述预设时间达到时，所述单片机控制所述继电器导通，所述双向可控硅的压降由所述第一预设电压值降为0。
8、作为一种改进的方案，所述负载断开时，所述继电器先于所述双向可控硅断开，所述双向可控硅的压降上升到所述第一预设电压值的瞬间，所述双向可控硅断开，压降降为0。
9、作为一种改进的方案，所述预设时间为10ms。
10、作为一种改进的方案，所述第一预设电压值为0.7v。
11、在本技术中，有触点可控硅电路包括双向可控硅和继电器，双向可控硅的t1端引出的线路与输入电压连接，t2端引出的线路串接负载后与输出电压连接，继电器并接在双向可控硅的t1端和t2端上；双向可控硅的gate端、继电器的控制端与单片机连接，该连接设置有效避免了双向可控硅的发热，省去了昂贵复杂的冷却散热装置，而且继电器导通时，压降交底，继电器的触点避免打火拉弧，防止烧坏继电器，节省成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种有触点可控硅电路，其特征在于，包括双向可控硅和继电器，其中:
2.根据权利要求1所述的有触点可控硅电路，其特征在于，在所述负载导通的预设时间内，所述双向可控硅先于所述继电器先导通，所述继电器两端的电压差降低到第一预设电压值；
3.根据权利要求2所述的有触点可控硅电路，其特征在于，当所述预设时间达到时，所述单片机控制所述继电器导通，所述双向可控硅的压降由所述第一预设电压值降为0。
4.根据权利要求3所述的有触点可控硅电路，其特征在于，所述负载断开时，所述继电器先于所述双向可控硅断开，所述双向可控硅的压降上升到所述第一预设电压值的瞬间，所述双向可控硅断开，压降降为0。
5.根据权利要求3所述的有触点可控硅电路，其特征在于，所述预设时间为10ms。
6.根据权利要求3所述的有触点可控硅电路，其特征在于，所述第一预设电压值为0.7V。
【技术特征摘要】
1.一种有触点可控硅电路，其特征在于，包括双向可控硅和继电器，其中:
2.根据权利要求1所述的有触点可控硅电路，其特征在于，在所述负载导通的预设时间内，所述双向可控硅先于所述继电器先导通，所述继电器两端的电压差降低到第一预设电压值；
3.根据权利要求2所述的有触点可控硅电路，其特征在于，当所述预设时间达到时，所述单片机控制所述继电器导通，所述双向可控硅的压降由所述第一预设电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建设，李建新，
申请(专利权)人：青岛蓝岭电气有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。