一种过压欠压保护电路制造技术

本技术公开了一种过压欠压保护电路，包括二极管TVS1、MOSFET场效应管Q1、NPN型晶体管Q3、PNP型晶体管Q4和NPN型晶体管Q2，二极管TVS1为瞬态抑制二极管，所述二极管TVS1的一端电性连接有输入端口VIN、电容EC1的正极和二极管D1的正极，二极管D1的负极电性连接有二极管D4的负极、电阻R5的一端、电阻R3的一端、PNP型晶体管Q4的发射极、二极管D2的负极和MOSFET场效应管Q1的源极S。本技术提供了一种全方位的过压欠压保护解决方案，实现了更加精度和快速的电路保护，并增加保护措施的多样性，极大的满足了不同电路的保护需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及过压欠压保护，具体为一种过压欠压保护电路。

技术介绍

1、目前电子产品的使用越来越普遍，电源电压波动以及电路元器件的品质问题等都给电子产品的稳定运行带来了很大的负面影响，甚至可能使电子产品受到永久性损害。因此电路保护技术中，过压或欠压保护都是非常重要的，现实生活中，电器设备很容易受到过高或者过低的电压冲击，从而导致电路损坏，而目前市场上存在的电压保护电路大多存在以下问题：一是保护精度差，反应迟缓，无法捕捉到电压变化的瞬间波动；二是保护速度慢，无法及时对电路进行保护，从而使电路受到较大的损害；三是保护措施单一，无法满足不同电路的保护需求，基于上述所存在的问题，我们提出了一种过压欠压保护电路。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种过压欠压保护电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种过压欠压保护电路，包括二极管tvs1、mosfet场效应管q1、npn型晶体管q3、pnp型晶体管q4和npn型晶体管q2，二极管tvs1为瞬态抑制二极管，所述二极管tvs1的一端电性连接有输入端口vin、电容ec1的正极和二极管d1的正极，二极管d1的负极电性连接有二极管d4的负极、电阻r5的一端、电阻r3的一端、pnp型晶体管q4的发射极、二极管d2的负极和mosfet场效应管q1的源极s，二极管d4的正极电性连接有电阻r4的一端，电阻r4的另一端电性连接有电容c1的一端和npn型晶体管q3的基极，npn型晶体管q3的集电极电性连接有电容c3的一端、电阻r5的另一端、电阻r6的一端和npn型晶体管q2的基极，npn型晶体管q2的集电极电性连接有电容c2的一端、电阻r3的另一端、二极管d3的负极和pnp型晶体管q4的基极，pnp型晶体管q4的集电极电性连接有电阻r1的一端和电阻r2的一端，电阻r1的另一端分别与二极管d2的正极和mosfet场效应管q1的栅极g电性连接，mosfet场效应管q1的漏极d电性连接有输出端口vout和受电负载的正极输入端，二极管tvs1的另一端分别与电容ec1的负极、电容c1的另一端、npn型晶体管q3的发射极、电容c3的另一端、电阻r6的另一端、npn型晶体管q2的发射极、电容c2的另一端、二极管d3的正极、电阻r2的另一端和受电负载的负极输入端电性连接，并接地。

3、优选的，所述二极管d4是一种用于对欠压阈值进行稳压的稳压二极管。

4、优选的，所述二极管d3是一种用于对过压阈值进行稳压的稳压二极管。

5、优选的，所述mosfet场效应管q1用于将输入电压与受电负载连接起来，pnp型晶体管q4用于切断mosfet场效应管q1的控制。

6、优选的，所述电阻r1和电阻r2构成一个电压分压器。

7、优选的，所述npn型晶体管q3用于欠压保护时参与电路运算，以实现电压的检测，二极管d1和二极管d2构成一个二极管级联电路。

8、优选的，所述电阻r5和电阻r6构成一个用于给npn型晶体管q2提供偏置电压的电阻网络，npn型晶体管q2用于在欠压保护时参与电路运算，以实现电压的检测。

9、与现有技术相比，

10、通过使用了pnp型晶体管、npn型晶体管和稳压二极管，可以对电路内部电压进行有效的监测和保护，从而可实现更精确的保护；

11、通过使用了瞬态抑制二极管，使得保护措施可在瞬间执行，能够及时对电路进行保护，从而减少电路的损坏风险；

12、通过由npn型晶体管q3、npn型晶体管q2、二极管d4、电阻r2、电阻r5和电阻r6构成的欠压保护电路，使得该电路具有欠压保护功能；

13、通过由pnp型晶体管q4、npn型晶体管q2、二极管d3、电阻r3、电阻r5和电阻r6构成的过压保护电路，使得该电路具有过压保护功能；

14、本技术提供了一种全方位的过压欠压保护解决方案，实现了更加精度和快速的电路保护，并增加保护措施的多样性，极大的满足了不同电路的保护需求。

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【技术保护点】

1.一种过压欠压保护电路，包括二极管TVS1、MOSFET场效应管Q1、NPN型晶体管Q3、PNP型晶体管Q4和NPN型晶体管Q2，其特征在于：所述二极管TVS1为瞬态抑制二极管，所述二极管TVS1的一端电性连接有输入端口VIN、电容EC1的正极和二极管D1的正极，二极管D1的负极电性连接有二极管D4的负极、电阻R5的一端、电阻R3的一端、PNP型晶体管Q4的发射极、二极管D2的负极和MOSFET场效应管Q1的源极S，二极管D4的正极电性连接有电阻R4的一端，电阻R4的另一端电性连接有电容C1的一端和NPN型晶体管Q3的基极，NPN型晶体管Q3的集电极电性连接有电容C3的一端、电阻R5的另一端、电阻R6的一端和NPN型晶体管Q2的基极，NPN型晶体管Q2的集电极电性连接有电容C2的一端、电阻R3的另一端、二极管D3的负极和PNP型晶体管Q4的基极，PNP型晶体管Q4的集电极电性连接有电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端分别与二极管D2的正极和MOSFET场效应管Q1的栅极G电性连接，MOSFET场效应管Q1的漏极D电性连接有输出端口VOUT和受电负载的正极输入端，二极管TVS1的另一端分别与电容EC1的负极、电容C1的另一端、NPN型晶体管Q3的发射极、电容C3的另一端、电阻R6的另一端、NPN型晶体管Q2的发射极、电容C2的另一端、二极管D3的正极、电阻R2的另一端和受电负载的负极输入端电性连接，并接地。

2.根据权利要求1所述的一种过压欠压保护电路，其特征在于：所述二极管D4是一种用于对欠压阈值进行稳压的稳压二极管。

3.根据权利要求1所述的一种过压欠压保护电路，其特征在于：所述二极管D3是一种用于对过压阈值进行稳压的稳压二极管。

4.根据权利要求1所述的一种过压欠压保护电路，其特征在于：所述MOSFET场效应管Q1用于将输入电压与受电负载连接起来，PNP型晶体管Q4用于切断MOSFET场效应管Q1的控制。

5.根据权利要求1所述的一种过压欠压保护电路，其特征在于：所述电阻R1和电阻R2构成一个电压分压器。

6.根据权利要求1所述的一种过压欠压保护电路，其特征在于：所述NPN型晶体管Q3用于欠压保护时参与电路运算，以实现电压的检测，二极管D1和二极管D2构成一个二极管级联电路。

7.根据权利要求1所述的一种过压欠压保护电路，其特征在于：所述电阻R5和电阻R6构成一个用于给NPN型晶体管Q2提供偏置电压的电阻网络，NPN型晶体管Q2用于在欠压保护时参与电路运算，以实现电压的检测。

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【技术特征摘要】

1.一种过压欠压保护电路，包括二极管tvs1、mosfet场效应管q1、npn型晶体管q3、pnp型晶体管q4和npn型晶体管q2，其特征在于：所述二极管tvs1为瞬态抑制二极管，所述二极管tvs1的一端电性连接有输入端口vin、电容ec1的正极和二极管d1的正极，二极管d1的负极电性连接有二极管d4的负极、电阻r5的一端、电阻r3的一端、pnp型晶体管q4的发射极、二极管d2的负极和mosfet场效应管q1的源极s，二极管d4的正极电性连接有电阻r4的一端，电阻r4的另一端电性连接有电容c1的一端和npn型晶体管q3的基极，npn型晶体管q3的集电极电性连接有电容c3的一端、电阻r5的另一端、电阻r6的一端和npn型晶体管q2的基极，npn型晶体管q2的集电极电性连接有电容c2的一端、电阻r3的另一端、二极管d3的负极和pnp型晶体管q4的基极，pnp型晶体管q4的集电极电性连接有电阻r1的一端和电阻r2的一端，电阻r1的另一端分别与二极管d2的正极和mosfet场效应管q1的栅极g电性连接，mosfet场效应管q1的漏极d电性连接有输出端口vout和受电负载的正极输入端，二极管tvs1的另一端分别与电容ec1的负极、电容c1的另一端、npn型晶体管q3的发射极、电容c3的另一端、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵全喜，
申请(专利权)人：苏州市世为科技有限公司，
类型：新型
国别省市：