【技术实现步骤摘要】
本技术属于功率器件异常处理,具体涉及一种基于bl-phase功率器件异常处理模块。
技术介绍
1、在现代电力电子应用中,功率器件是关键组件,广泛应用于交流/直流转换、逆变器、电机控制等领域。然而,功率器件在工作过程中可能会遇到一些异常情况,例如过温、过流或负载阻抗不匹配,这些异常情况可能会导致设备性能下降,甚至损坏。
2、为了确保功率器件的稳定运行和安全性,通常需要一种异常处理模块,以及一种高效的方式将异常信息传递给控制器,以便及时采取措施进行处理。
3、传统的功率器件异常处理方法通常使用硬件内部回路来监测并处理异常情况。大多采用多线传输方式,如spi、i2c等,由于传输数据量较大,导致异常处理的响应时间相对较长,且正出现异常时直接关闭器件,从而降低了系统的实时性。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种基于bl-phase功率器件异常处理模块,能够在初次异常时,进行防护,再次异常时硬件关闭内部回路,实现异常处理更及时,降低了系统损坏和安全风险。
2、本技术采取的技术方案具体如下:
3、一种基于bl-phase功率器件异常处理模块,包括断路单元、限流单元、调阻单元和降温单元,还包括mcu控制模块,所述mcu控制模块分别与断路单元、限流单元、调阻单元和降温单元相连接,所述断路单元的一端与限流单元相连接,所述限流单元和调阻单元均与功率器件相连接;
4、当所述限流单元运行时,对功率器件进行限流防护;
5、当所述调阻
6、当所述降温单元运行时,对功率器件进行降温防护;
7、当所述断路单元运行时,对功率器件进行断路防护。
8、在一种优选方案中,所述断路单元包括电阻r1、三极管vt1、二极管vd1和电磁继电器k1,所述电阻r1的一端与mcu控制模块连接,所述电阻r1的另一端与三极管vt1的基极连接,所述三极管vt1的发射极接地,所述三极管vt1的集电极与二极管vd1的一端和电磁继电器k1线圈的一端连接,所述二极管vd1的另一端与电磁继电器k1线圈的另一端连接,所述电磁继电器k1的2号引脚与限流单元相连接。
9、在一种优选方案中,所述限流单元包括电阻r2、三极管vt2、二极管vd2、电磁继电器k2和电阻r4,所述电阻r2的一端与mcu控制模块连接,所述电阻r2的另一端与三极管vt2的基极连接,所述三极管vt2的发射极接地,所述三极管vt2的集电极与二极管vd2的一端和电磁继电器k2线圈的一端连接,所述二极管vd2的另一端与电磁继电器k2线圈的另一端连接,所述电磁继电器k2的1号引脚与电磁继电器k1的2号引脚连接,所述电磁继电器k2的2号引脚与电阻r4的一端和功率器件相连接,所述电磁继电器k2的3号引脚与电阻r4的另一端连接。
10、在一种优选方案中,所述调阻单元包括三极管vt4、电阻r5和电容c,所述三极管vt4的基极与mcu控制模块连接,所述三极管vt4的集电极与功率器件连接,所述三极管vt4的发射极与电阻r5的一端连接,所述电阻r5的另一端与电容c的一端连接,所述电容c的另一端接地。
11、在一种优选方案中,所述降温单元包括电阻r3、三极管vt3、二极管vd3、电磁继电器k3和散热风扇m,所述电阻r3的一端与mcu控制模块连接,所述电阻r3的另一端与三极管vt3的基极连接,所述三极管vt3的发射极接地,所述三极管vt3的集电极与二极管vd3的一端和电磁继电器k3线圈的一端连接,所述二极管vd3的另一端与电磁继电器k3线圈的另一端连接,所述电磁继电器k3的3号引脚与散热风扇m相连接。
12、本技术取得的技术效果为:
13、本技术,在异常处理模块接收到异常信息时,根据接收的异常信息,控制限流单元、调阻单元和降温单元运行,当限流单元、调阻单元和降温单元在运行时,再次接收到相同的控制信号时,将使断路单元运行时,对功率器件进行断路防护,可在首次出现控制信号时,进行防护处理,以保障功率器件的正常运行,再次出现控制信号时,硬件关闭功率器件的回路,实现异常处理更及时,降低了系统损坏和安全风险。
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1.一种基于Bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,包括断路单元、限流单元、调阻单元和降温单元,还包括MCU控制模块,所述MCU控制模块分别与断路单元、限流单元、调阻单元和降温单元相连接,所述断路单元的一端与限流单元相连接,所述限流单元和调阻单元均与功率器件相连接;
2.根据权利要求1所述的基于Bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,所述断路单元包括电阻R1、三极管VT1、二极管VD1和电磁继电器K1,所述电阻R1的一端与MCU控制模块连接,所述电阻R1的另一端与三极管VT1的基极连接,所述三极管VT1的发射极接地,所述三极管VT1的集电极与二极管VD1的一端和电磁继电器K1线圈的一端连接,所述二极管VD1的另一端与电磁继电器K1线圈的另一端连接,所述电磁继电器K1的2号引脚与限流单元相连接。
3.根据权利要求1或2所述的基于Bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,所述限流单元包括电阻R2、三极管VT2、二极管VD2、电磁继电器K2和电阻R4,所述电阻R2的一端与MCU控制模块连接,所述电阻R2的另一端与三极管VT2的基极连接
4.根据权利要求1或2所述的基于Bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,所述调阻单元包括三极管VT4、电阻R5和电容C,所述三极管VT4的基极与MCU控制模块连接,所述三极管VT4的集电极与功率器件连接,所述三极管VT4的发射极与电阻R5的一端连接,所述电阻R5的另一端与电容C的一端连接,所述电容C的另一端接地。
5.根据权利要求1或2所述的基于Bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,所述降温单元包括电阻R3、三极管VT3、二极管VD3、电磁继电器K3和散热风扇M,所述电阻R3的一端与MCU控制模块连接,所述电阻R3的另一端与三极管VT3的基极连接,所述三极管VT3的发射极接地,所述三极管VT3的集电极与二极管VD3的一端和电磁继电器K3线圈的一端连接,所述二极管VD3的另一端与电磁继电器K3线圈的另一端连接,所述电磁继电器K3的3号引脚与散热风扇M相连接。
...【技术特征摘要】
1.一种基于bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,包括断路单元、限流单元、调阻单元和降温单元,还包括mcu控制模块,所述mcu控制模块分别与断路单元、限流单元、调阻单元和降温单元相连接,所述断路单元的一端与限流单元相连接,所述限流单元和调阻单元均与功率器件相连接;
2.根据权利要求1所述的基于bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,所述断路单元包括电阻r1、三极管vt1、二极管vd1和电磁继电器k1,所述电阻r1的一端与mcu控制模块连接,所述电阻r1的另一端与三极管vt1的基极连接,所述三极管vt1的发射极接地,所述三极管vt1的集电极与二极管vd1的一端和电磁继电器k1线圈的一端连接,所述二极管vd1的另一端与电磁继电器k1线圈的另一端连接,所述电磁继电器k1的2号引脚与限流单元相连接。
3.根据权利要求1或2所述的基于bl-phase功率器件异常处理模块,其特征在于,所述限流单元包括电阻r2、三极管vt2、二极管vd2、电磁继电器k2和电阻r4,所述电阻r2的一端与mcu控制模块连接,所述电阻r2的另一端与三极管vt2的基极连接,所述三极管vt2的发射极接地,所述三极管vt2的集电极与二极管vd2的一端和电...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤觅,李春,
申请(专利权)人:湃晟芯苏州科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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