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本技术公开了一种过压欠压保护电路，包括二极管TVS1、MOSFET场效应管Q1、NPN型晶体管Q3、PNP型晶体管Q4和NPN型晶体管Q2，二极管TVS1为瞬态抑制二极管，所述二极管TVS1的一端电性连接有输入端口VIN、电容EC1的正极和...
该专利属于苏州市世为科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州市世为科技有限公司授权不得商用。

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