【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种集成电路，更具体地，涉及一种集成电路装置和制造该集成电路装置的方法。
技术介绍
1、随着集成电路装置的尺寸缩小，用于实现集成电路装置的单个微电路图案的尺寸被进一步减小。另外，随着集成电路装置的高度集成，位线的线宽减小，并且与在位线之间形成接触件相关联的难度增加。
技术实现思路
1、一种制造集成电路装置的方法，该方法包括：在衬底的上表面上形成多个导电层。形成布置在多个导电层上并且在第一方向上延伸的封盖结构。通过使用封盖结构对多个导电层进行图案化来形成在第一方向上延伸的多条位线。在多条位线中的相邻位线之间的空间中形成多个掩埋层。封盖结构包括下绝缘封盖层、设置在下绝缘封盖层上的绝缘层、以及设置在绝缘层上的多晶硅层。多晶硅层包括相对于绝缘层具有蚀刻选择性的材料。
2、一种制造集成电路装置的方法，该方法包括：在衬底的上表面上形成多个导电层。形成布置在多个导电层上并且在第一方向上延伸的封盖结构。通过使用封盖结构蚀刻多个导电层来形成在第一方向上延伸的多条位线。在多条位线中的每一条位线的相对侧壁上形成间隔件结构。在多条位线中的相邻位线之间的空间中形成多晶硅层。多晶硅层覆盖多条位线中的每一条位线的上部分和间隔件结构的外表面。
3、一种制造集成电路装置的方法，该方法包括：在衬底的上表面上形成多个导电层。形成布置在多个导电层上并且在第一方向上延伸的封盖结构。通过使用封盖结构蚀刻多个导电层来形成在第一方向上延伸的多条位线。在多条位线中的每一条位线的相对侧壁上形
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1.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述封盖结构包括：形成所述封盖结构的所述多晶硅层以覆盖所述封盖结构的所述绝缘层的整个上表面。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：形成多个绝缘围栏，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多晶硅层包括相对于所述多个绝缘围栏具有蚀刻选择性的材料。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个绝缘围栏中的每一个包括氮化硅膜、碳氮化硅膜或它们的组合。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个掩埋层中的每一个包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下绝缘封盖层包括氮化硅膜、碳氮化硅膜或它们的组合，并且
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述外围电路栅极结构上形成所述多晶硅层包括：形成所述多晶硅层以覆盖所述至少一个外围电路栅极结构的整个上表面。
11.一种制造集成电路装置的方法，
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：通过蚀刻所述多晶硅层的一部分来形成绝缘空间，
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多条位线中的每一条包括钨层，并且
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多晶硅层在垂直于所述第一方向的第二方向上布置在所述多条位线中的相邻位线之间的所述空间中。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多晶硅层包括掺杂离子。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多晶硅层的至少一部分电连接至电容器下电极。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多晶硅层的至少一部分电连接至所述衬底。
18.根据权利要求11所述的方法，还包括：
19.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，还包括在所述衬底上形成至少一个外围电路栅极结构；以及
...【技术特征摘要】
1.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述封盖结构包括：形成所述封盖结构的所述多晶硅层以覆盖所述封盖结构的所述绝缘层的整个上表面。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：形成多个绝缘围栏，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多晶硅层包括相对于所述多个绝缘围栏具有蚀刻选择性的材料。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个绝缘围栏中的每一个包括氮化硅膜、碳氮化硅膜或它们的组合。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个掩埋层中的每一个包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下绝缘封盖层包括氮化硅膜、碳氮化硅膜或它们的组合，并且
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述外围电路栅极结构上形成所述多晶硅层包括：形成所述多晶硅层以覆盖所述至少一个外围...
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