具有横向形成的存储器单元的存储器装置制造方法及图纸

技术编号：40123168 阅读：6 留言：0更新日期：2024-01-23 20:58

描述用于具有横向形成的存储器单元的存储器装置的方法、系统及装置。可形成包含多个电介质层之间的导电层的材料堆叠，其中所述导电层及电介质层可在所述材料堆叠的侧壁中形成通道。可用一或多种材料填充所述通道，其中可暴露所述一或多种材料中的最外材料的第一侧。可在所述材料堆叠中形成暴露所述一或多种材料中的至少一种材料的第二侧的开口。可使用所述开口以用硫属化物材料替换所述至少一种材料的部分，其中可在用所述硫属化物材料替换所述至少一种材料的所述部分之前形成电极材料。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态而存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一者，所述状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述状态中的任一者。为存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中用所述至少一种材料填充所述通道包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述开口包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且所述第二材料包括氧化铝。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一材料、所述第二材料、第一电介质材料与第二电介质材料之间的相互蚀刻选择性超过阈值。

6.根据权利要求1所述的方法，其中经由沟槽填充所述通道，所述方法进一步包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其中替换所述至少一种材料包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中用所述硫属化物材料替换所述至少一种材料包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种材料是用来形成存储元件的所述硫

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种材料的所述第二侧在平行于通过所述硫属化物材料的电流路径的第二方向的第一方向上延伸。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

16.一种方法，其包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中用所述导电材料替换所述第一材料及所述第三材料包括：

19.根据权利要求17所述的方法，其中用所述硫属化物材料替换所述第二材料包括：

20.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

21.根据权利要求16所述的方法，其中所述开口暴露所述第一材料的第二侧及所述第三材料的第二侧。

22.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一材料及所述第三材料包括氧化铝，且其中所述第二材料包括氮化硅。

23.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一材料、所述第二材料、第一电介质材料与第二电介质材料之间的相互蚀刻选择性超过阈值。

24.根据权利要求16所述的方法，其中：

25.一种方法，其包括：

26.根据权利要求25所述的方法，其进一步包括：

27.根据权利要求25所述的方法，其进一步包括：

28.根据权利要求25所述的方法，其进一步包括：

29.根据权利要求25所述的方法，其中沉积所述导电材料包括：

30.一种方法，其包括：

31.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括：

32.根据权利要求31所述的方法，其中：

33.根据权利要求32所述的方法，其进一步包括：

34.根据权利要求31所述的方法，其中经由所述开口从垂直于通过所述存储元件的电流路径的第二方向的第一方向填充所述腔。

35.一种设备，其包括：

36.根据权利要求35所述的设备，其中所述存储元件的所述第一侧的边缘从所述第一电极的所述第一侧的边缘及所述第二电极的所述第一侧的边缘偏移。

37.根据权利要求36所述的设备，其中所述第一电极的所述第一侧的所述边缘与所述第二电极的所述第一侧的所述边缘对准。

38.根据权利要求35所述的设备，其中通过填充所述第一电极与所述第二电极之间的腔而形成所述存储元件。

39.根据权利要求35所述的设备，其中：

40.根据权利要求35所述的设备，其中所述存储元件的第二侧及所述第二电极的第二侧涂覆有将所述存储元件及所述第二电极与电介质材料分离的氧化铝层。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】