System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 包括基板和多电容器集成无源器件的封装件制造技术_技高网

包括基板和多电容器集成无源器件的封装件制造技术

技术编号:40123350 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-23 21:00
一种封装件,该封装件包括:基板、耦合到该基板的集成器件、以及包括至少两个电容器的集成无源器件。该集成无源器件耦合到该基板。该集成无源器件包括:包括第一沟槽和第二沟槽的无源器件基板;位于该第一沟槽和该第二沟槽之上的氧化物层;位于该第一沟槽该氧化物层之上的第一导电层;位于该第一导电层之上的介电层;和位于该介电层之上的第二导电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

各种特征涉及集成无源器件。


技术介绍

1、封装件可包括基板、集成器件和无源器件。这些组件耦合在一起以提供可以执行各种电气功能的封装件。集成器件、基板和无源组件如何耦合在一起影响封装件的整体性能。一直存在提供性能更好的封装件的需求。


技术实现思路

1、各种特征涉及集成无源器件。

2、一个示例提供了一种封装件,其包括:基板;耦合到基板的集成器件;和耦合到基板的集成无源器件。该集成无源器件包括被配置成耦合到第一电源的第一沟槽电容器;和被配置成耦合到第二电源的第二沟槽电容器。

3、另一示例提供了一种封装件,该封装件包括:基板、耦合到该基板的集成器件、以及包括至少两个电容器的集成无源器件。该集成无源器件耦合到该基板。该集成无源器件包括:包括第一沟槽和第二沟槽的无源器件基板;位于该第一沟槽和该第二沟槽之上的氧化物层;位于该第一沟槽该氧化物层之上的第一导电层;位于该第一导电层之上的介电层;和位于该介电层之上的第二导电层。位于无源器件基板的第一沟槽中的氧化物层的第一部分、第一导电层的第一部分、介电层的第一部分和第二导电层的第一部分被配置成作为第一电容器来操作。位于无源器件基板的第二沟槽中的氧化物层的第二部分、第一导电层的第二部分、介电层的第二部分和第二导电层的第二部分被配置成作为第二电容器来操作。

4、另一示例提供了一种装置,该装置包括基板、耦合到该基板的集成器件、以及耦合到该基板的用于多沟槽电容的部件。

5、另一示例提供了一种用于制造封装件的方法。该方法提供基板。该方法将集成器件耦合到该基板。该方法将集成无源器件耦合到该基板。该集成无源器件包括被配置成耦合到第一电源的第一沟槽电容器;和被配置成耦合到第二电源的第二沟槽电容器。

6、另一示例提供了一种用于制造封装件的方法。该方法提供基板。该方法将集成器件耦合到该基板。该方法将集成无源器件耦合到该基板。该集成无源器件包括至少两个电容器。该集成无源器件包括:包括第一沟槽和第二沟槽的无源器件基板;位于该第一沟槽和该第二沟槽之上的氧化物层;位于该第一沟槽该氧化物层之上的第一导电层;位于该第一导电层之上的介电层;和位于该介电层之上的第二导电层。位于无源器件基板的第一沟槽中的氧化物层的第一部分、第一导电层的第一部分、介电层的第一部分和第二导电层的第一部分被配置成作为第一电容器来操作。位于无源器件基板的第二沟槽中的氧化物层的第二部分、第一导电层的第二部分、介电层的第二部分和第二导电层的第二部分被配置成作为第二电容器来操作。

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【技术保护点】

1.一种封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的封装件,

3.根据权利要求1所述的封装件,

4.根据权利要求1所述的封装件,

5.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括第二集成器件,

6.根据权利要求1所述的封装件,

7.根据权利要求1所述的封装件,其中所述集成无源器件包括:

8.根据权利要求7所述的封装件,

9.根据权利要求8所述的封装件,其中所述第一导电层被配置成耦合到地。

10.根据权利要求8所述的封装件,其中所述第一导电层和/或所述第二导电层包括多晶硅。

11.根据权利要求10所述的封装件,其中所述第一导电层包括掺杂剂。

12.根据权利要求8所述的封装件,

13.根据权利要求12所述的封装件,其中所述氧化物层的所述第三部分、所述第一导电层的所述第三部分、所述介电层的所述第三部分和所述第二导电层的所述第三部分被配置成作为第三沟槽电容器来操作。

14.根据权利要求12所述的封装件,其中所述氧化物层的所述第三部分、所述第一导电层的所述第三部分、所述介电层的所述第三部分和所述第二导电层的所述第三部分被配置成作为所述第一沟槽电容器来操作。

15.根据权利要求14所述的封装件,其中所述氧化物层的所述第四部分、所述第一导电层的所述第四部分、所述介电层的所述第四部分和所述第二导电层的所述第四部分被配置成作为所述第二沟槽电容器来操作。

16.根据权利要求1所述的封装件,其中所述第二导电层的多个部分被配置作为用于所述集成无源器件的多个焊盘。

17.根据权利要求16所述的封装件,其中所述第一导电层的一部分被配置作为用于所述集成无源器件的接地焊盘。

18.一种装置,包括:

19.根据权利要求18所述的装置,其中所述用于多沟槽电容的部件包括:

20.根据权利要求19所述的装置,其中所述用于第一沟槽电容的部件和所述用于第二沟槽电容的部件共享被配置成耦合到地的导电层。

21.根据权利要求19所述的装置,其中所述用于第一沟槽电容的部件包括:

22.根据权利要求21所述的装置,其中所述用于第二沟槽电容的部件包括:

23.根据权利要求22所述的装置,其中所述第一导电层被配置成耦合到地。

24.根据权利要求19所述的装置,

25.根据权利要求19所述的装置,其中所述用于第一沟槽电容的部件形成在一个或多个沟槽中。

26.根据权利要求19所述的装置,其中所述用于第一沟槽电容的部件被配置成电耦合到所述集成器件。

27.根据权利要求19所述的装置,其中所述用于第一沟槽电容的部件被配置成电耦合到所述集成器件的内部集成无源器件。

28.根据权利要求18所述的装置,其中所述装置被纳入到从包括以下各项的群中选择的设备中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、物联网(IoT)设备、以及机动交通工具中的设备。

29.一种用于制造封装件的方法,包括:

30.根据权利要求29所述的方法,进一步包括将第二集成器件耦合到所述集成器件。

31.根据权利要求30所述的方法,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的封装件,

3.根据权利要求1所述的封装件,

4.根据权利要求1所述的封装件,

5.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括第二集成器件,

6.根据权利要求1所述的封装件,

7.根据权利要求1所述的封装件,其中所述集成无源器件包括:

8.根据权利要求7所述的封装件,

9.根据权利要求8所述的封装件,其中所述第一导电层被配置成耦合到地。

10.根据权利要求8所述的封装件,其中所述第一导电层和/或所述第二导电层包括多晶硅。

11.根据权利要求10所述的封装件,其中所述第一导电层包括掺杂剂。

12.根据权利要求8所述的封装件,

13.根据权利要求12所述的封装件,其中所述氧化物层的所述第三部分、所述第一导电层的所述第三部分、所述介电层的所述第三部分和所述第二导电层的所述第三部分被配置成作为第三沟槽电容器来操作。

14.根据权利要求12所述的封装件,其中所述氧化物层的所述第三部分、所述第一导电层的所述第三部分、所述介电层的所述第三部分和所述第二导电层的所述第三部分被配置成作为所述第一沟槽电容器来操作。

15.根据权利要求14所述的封装件,其中所述氧化物层的所述第四部分、所述第一导电层的所述第四部分、所述介电层的所述第四部分和所述第二导电层的所述第四部分被配置成作为所述第二沟槽电容器来操作。

16.根据权利要求1所述的封装件,其中所述第二导电层的多个部分被配置作为用于所述集成无源器件的多个焊盘。

17.根据权利要求16所述的封...

【专利技术属性】
技术研发人员:B·谢S·K·潘德
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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