【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种静态随机存储器的版图结构。
技术介绍
1、随着以电子通讯技术为代表的现代高科技产业的不断发展，世界集成电路产业总产值以每年超过30％的速度发展，静态随机存储器(sram)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中。sram是逻辑电路中一种重要部件，其因为具有功耗小，读取速度高等优点而广泛应用于数据的存储。sram单元具有由多个sram器件构成的矩阵结构，sram单元包括至少一pg管、至少一pd管和至少一pu晶体管。
2、请参照图1，现有技术的静态随机存储器(sram)的版图结构的部分结构包括：有源区，位于有源区上的pd管和pg管以及pu晶体管。pd管和pg管以及pu晶体管的个数根据具体工艺而定。pd管和pg管具有一定的距离，pd管和pu晶体管可以接触。有源区可能为多个，多个有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔开。以两个有源区为例，分别是第一有源区110和第二有源区120，第一有源区110和第二有源区120的延伸方向均垂直于水平方向。第一有源区110上和第二有源区120上均可以设计多个pd管，其中包括设计pd管的栅极。例如，在第一有源区110上设计第一pd管的栅极130，第一pd管的栅极130为直条状，径向垂直于第一有源区110的延伸方向。在第二有源区120上设计第二pd管的栅极140，第二pd管的栅极140为直条状，径向垂直于第二有源区120的延伸方向。第一pd管的栅极130和第二pd管的栅极140相对，且两者之间的最短距离满足光刻要求。
3、然而，现有技术的静态
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种静态随机存储器的版图结构，可以在不减小第一pd管的栅极130和/或第二pd管的栅极140的延伸长度且满足光刻要求的条件下，减小静态随机存储器的版图面积。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种静态随机存储器的版图结构，包括：
3、第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔开，所述第一有源区和第二有源区的延伸方向均垂直于水平方向；
4、位于所述第一有源区上的第一pd管的栅极，所述第一pd管的栅极分为两部分，第一部分第一pd管的栅极垂直于所述第一有源区的延伸方向，第二部分第一pd管的栅极连接所述第一部分第一pd管的栅极并且与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度小于180°；
5、位于所述第二有源区上的第二pd管的栅极，所述第二pd管的栅极分为两部分，第一部分第二pd管的栅极垂直于所述第二有源区的延伸方向，第二部分第二pd管的栅极连接所述第一部分第二pd管的栅极并且与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度小于180°；
6、所述第二部分第二pd管的栅极与所述第二部分第一pd管的栅极相对并且相对距离满足光刻要求。
7、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，还包括pg管的栅极，所述pg管的栅极跨接在所述第一有源区和第二有源区上。
8、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第一pd管的栅极以及第二pd管的栅极与所述pg管的栅极之间的最短距离均满足光刻要求。
9、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。
10、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。
11、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度和所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度相同或者不相同。
12、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第一pd管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第一pd管的栅极的宽度。
13、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第二pd管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第二pd管的栅极的宽度。
14、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第一pd管的栅极为若干个，所有所述第一pd管的栅极之间均具有一定的距离。
15、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二pd管的栅极为若干个，所有所述第二pd管的栅极之间均具有一定的距离。
16、在本专利技术提供的静态随机存储器的版图结构中，包括：第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔开，第一有源区和第二有源区的延伸方向均垂直于水平方向；位于第一有源区上的第一pd管的栅极，第一pd管的栅极分为两部分，第一部分第一pd管的栅极垂直于第一有源区的延伸方向，第二部分第一pd管的栅极连接第一部分第一pd管的栅极并且与第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度小于180°；位于第二有源区上的第二pd管的栅极，第二pd管的栅极分为两部分，第一部分第二pd管的栅极垂直于第二有源区的延伸方向，第二部分第二pd管的栅极连接第一部分第二pd管的栅极并且与第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度小于180°；第二部分第二pd管的栅极与第二部分第一pd管的栅极相对并且两者之间在水平方向上的最短距离满足光刻要求。本专利技术将第一pd管的栅极和第二pd管的栅极均分为两部分，两部分之间的角度小于180°，即使得第一pd管的栅极和第二pd管的栅极均是弯曲状态，没有减小栅极水平方向上的延伸长度的情况下且第一pd管的栅极和第二pd管的栅极的相对距离满足光刻条件的要求下，还能缩小第一pd管的栅极和第二pd管的栅极之间在水平方向上的距离。从而，在不减小第一pd管的栅极和/或第二pd管的栅极的长度且满足光刻要求的条件下，减小了静态随机存储器的版图面积。
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1.一种静态随机存储器的版图结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，还包括PG管的栅极，所述PG管的栅极跨接在所述第一有源区和第二有源区上。
3.如权利要求2所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第一PD管的栅极以及第二PD管的栅极与所述PG管的栅极之间的最短距离均满足光刻要求。
4.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第一PD管的栅极与所述第一部分第一PD管的栅极的顺时针角度为90°～165°。
5.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第二PD管的栅极与所述第一部分第二PD管的栅极的顺时针角度为90°～165°。
6.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第一PD管的栅极与所述第一部分第一PD管的栅极的顺时针角度和所述第二部分第二PD管的栅极与所述第一部分第二PD管的栅极的顺时针角度相同或者不相同。
7.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，
8.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第二PD管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第二PD管的栅极的宽度。
9.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第一PD管的栅极为若干个，所有所述第一PD管的栅极之间均具有一定的距离。
10.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二PD管的栅极为若干个，所有所述第二PD管的栅极之间均具有一定的距离。
...【技术特征摘要】
1.一种静态随机存储器的版图结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，还包括pg管的栅极，所述pg管的栅极跨接在所述第一有源区和第二有源区上。
3.如权利要求2所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第一pd管的栅极以及第二pd管的栅极与所述pg管的栅极之间的最短距离均满足光刻要求。
4.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。
5.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。
6.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，孔蔚然，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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