【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种确定接触孔光刻工艺条件方法。
技术介绍
1、集成电路制造中先进工艺节点的接触孔缺陷问题会直接造成前、后段电路连接失效。接触孔的光刻工艺除了对图形的精准定义，还要考虑提升均匀性，为刻蚀工艺提供更大的工艺容差，因此对光刻工艺的要求十分严苛。
2、接触孔形变缺陷主要与接触孔成型的工艺有关，其与层间介电层(inter-layerdielectric，简称ild)平坦化工艺、接触孔光刻工艺和刻蚀工艺等工艺步骤直接相关。接触孔的特征尺寸大小通常由光刻工艺决定，能量宽裕度与对焦深度都会影响接触孔曝光后的光阻形貌和尺寸大小。在新产品的研发和导入阶段，层间介电层和无机抗反射涂层的厚度往往需要根据工艺设计不断变化，由此带来的消光系数(量测时把反射率值用字母n表示，折射率用k表示，n、k统称消光系数)变化会引起光刻图形发生驻波效应加剧、倒塌、底部站脚、t形顶等缺陷。如何快速适应前层薄膜的变化来探索光刻工艺条件是接触孔工艺的一个难点问题。
3、55nm-65nm技术节点接触孔光刻工艺多需要借助浸没式氟化氩曝光机(arf-immersion)完成。然而其成像质量受曝光中间介质(水)的影响，会引入残水缺陷。目前的工艺技术中部分采用干式氟化氩曝光机(arf-dry)来完成接触孔光刻工艺，因受限于光学邻近效应与193nm光刻胶的特点，往往难以获得高质量的光刻图形和足够的光刻工艺窗口。
4、光刻仿真对光学成像和工艺过程建模，借助计算机计算来预测表征光刻工艺各项参数。但是单一的仿真依赖于模
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种确定接触孔光刻工艺条件方法，可以高效建立和确定接触孔光刻工艺条件，提高成像质量、提升光刻工艺窗口。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种确定接触孔光刻工艺条件方法，包括如下步骤：量测获取待涂敷抗反射涂层的基底的前层薄膜参数，进行光刻仿真获取所述待涂敷抗反射涂层的仿真膜厚与消光系数关系曲线，进而选取所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚，其中，所述基底包括衬底以及沉积于所述衬底上的多层薄膜，所述前层薄膜参数包括自所述基底的最顶层薄膜起的n层薄膜中每一层薄膜的膜厚与相应的消光系数；根据所述前层薄膜参数以及所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚与消光系数进行光刻仿真，获取光阻的目标膜厚；采用多组照明参数对所述光阻的预设曝光锚点模拟曝光，获取目标照明参数；选取候选曝光锚点、固定待优化参数进行光刻仿真，获取至少一目标曝光锚点；在预制衬底上通过改变能量宽裕度与对焦深度，对前述步骤所获取的光刻工艺条件进行光刻工艺验证，选取光刻工艺窗口最大的目标曝光锚点作为选定曝光锚点，并获取相应的目标能量宽裕度和目标对焦深度，从而确定接触孔光刻工艺条件，所述光刻工艺窗口包括能量宽裕度与对焦深度，前述步骤所获取的光刻工艺条件包括：所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚、所述光阻的目标膜厚、所述目标照明参数以及所述至少一目标曝光锚点。
3、以上技术方案，通过将计算光刻与设计实验相结合，提供一种确定接触孔光刻工艺条件方法，适用于55nm-65nm技术节点非浸没式光刻工艺开发，为55nm-65nm技术节点新产品研发和导入节约时间和经济成本，且有效提高产品良率。适应于不同ild工艺，针对ild工艺变化带来的光刻工艺条件变化能快速做出应变；本专利技术所选取的目标曝光锚点适用于55nm-65nm工艺节点，成像质量高，工艺窗口满足设计；采用本专利技术确定的光刻工艺条件所形成的接触孔具有形变小、线宽均匀性好、无t形顶、无底部站脚、无驻波效应或驻波效应不明显等优点；采用本专利技术确定的光刻工艺条件所形成的接触孔在深宽比≧2.8:1时，刻蚀后的粗糙度明显改善。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种确定接触孔光刻工艺条件方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N层薄膜均为层间介电层，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的选取所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚的步骤进一步包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的选取所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚的步骤进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取光阻的目标膜厚的步骤至少包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取目标照明参数的步骤进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多组照明参数进一步采用光学相干性，数值孔径的单一变化和协同变化的其中一种或多种组合方式进行优化。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取至少一目标曝光锚点的步骤进一步包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述一系列特征图形包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的选取光刻工艺窗口最大的目标
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种确定接触孔光刻工艺条件方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n层薄膜均为层间介电层，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的选取所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚的步骤进一步包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的选取所述待涂敷抗反射涂层的目标膜厚的步骤进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取光阻的目标膜厚的步骤至少包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取目标照明参数的步骤进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：常方强，强人峰，胡宁，孟昭生，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。