【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种应用于槽式清洗设备中的干燥系统。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造业中，在对晶圆进行清洗工艺后，需要对晶圆进行干燥，业界通用的方式是将清洗后的晶圆至于氮气(n2)环境中进行干燥，避免晶圆在干燥时残留在晶圆上的水渍和氧气、硅反应生成氧化物的水痕(water mark)，影响器件产品的可靠性，该处理步骤被称为氮清除(n2 purge)工艺。
2、然而，由于氮气的密度小于氧气的密度，因此在进行氮清除工艺时，氮气气流会不断地向上流动，而氧气会自发地下沉，且沉于设备槽体底部的氧气不会被向上的氮气气流带走，使得密闭的干燥槽体并不是一个完全的惰性环境，留下了形成水痕的隐患。因此，亟待对槽式清洗设备进行改进以提升槽体的惰性环境，提高槽式清洗设备的干燥能力。
技术实现思路
1、本申请提供了一种应用于槽式清洗设备中的干燥系统，可以解决相关技术提供的槽式清洗设备中的干燥系统容易造成水痕问题，该系统包括：
2、干燥槽，所述干燥槽用于对清洗后的晶圆进行干燥；
3、清洗槽，所述清洗槽位于所述干燥槽内，其用于对所述晶圆进行清洗；
4、至少一个出气口，所述出气口是所述槽式清洗设备中用于通入氮气的出气口，所述出气口用于当所述干燥系统工作时，当所述晶圆从清洗槽中的去离子水中拉起时，通过所述出气口向所述干燥槽通入氩气。
5、在一些实施例中，所述出气口还用于，当所述干燥系统工作时，当需要通入氮气时通过所述出气口向所述干
6、在一些实施例中，所述至少一个出气口中，每个出气口通过出气管道连通。
7、在一些实施例中，所述出气管道的进气端口与进气管道的出气端口连通，所述进气管道的进气端口与三通阀的出气端口连接，所述三通阀的两个进气端口分别与氩气进气管道和氮气进气管道连接。
8、在一些实施例中，所述进气管道上设置有加热装置。
9、在一些实施例中，所述进气管道上设置有四个加热装置，所述四个加热装置分别为第一加热装置、第二加热装置、第三加热装置和第四加热装置；
10、当所述干燥系统工作时且进气管道保持连通时，氩气或氮气通过所述进气管道依次经过所述第一加热装置，所述第二加热装置和/或所述第三加热装置后，汇集后进入所述第四加热装置。
11、在一些实施例中，所述第一加热装置和所述第二加热装置之间的进气管道上设置有阀门。
12、在一些实施例中，所述第一加热装置、第二加热装置、第三加热装置和第四加热装置的预设加热温度不同。
13、本申请技术方案，至少包括如下优点：
14、通过将槽式清洗设备中的氮气出气口用于通入氩气，当干燥系统工作时，当晶圆从清洗槽中的去离子水中拉起时，通过该出气口向干燥槽通入氩气，由于氩气的密度大于空气因此可以沉入干燥槽较低的位置将空气排挤干净，提升了槽体的惰性环境，降低了形成水痕的几率，在一定程度上提高了可靠性和良率；同时，由于通入氩气的出气口为设备固有的氮气出气口，因此改进的方式较为简单。
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1.一种应用于槽式清洗设备中的干燥系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述出气口还用于，当所述干燥系统工作时，当需要通入氮气时通过所述出气口向所述干燥槽通入氮气。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述至少一个出气口中，每个出气口通过出气管道连通。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述出气管道的进气端口与进气管道的出气端口连通，所述进气管道的进气端口与三通阀的出气端口连接，所述三通阀的两个进气端口分别与氩气进气管道和氮气进气管道连接。
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述进气管道上设置有加热装置。
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述进气管道上设置有四个加热装置，所述四个加热装置分别为第一加热装置、第二加热装置、第三加热装置和第四加热装置；
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述第一加热装置和所述第二加热装置之间的进气管道上设置有阀门。
8.根据权利要求6或7所述的系统，其特征在于，所述第一加热装置、第二加热装置、第三加
...【技术特征摘要】
1.一种应用于槽式清洗设备中的干燥系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述出气口还用于，当所述干燥系统工作时，当需要通入氮气时通过所述出气口向所述干燥槽通入氮气。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述至少一个出气口中，每个出气口通过出气管道连通。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述出气管道的进气端口与进气管道的出气端口连通，所述进气管道的进气端口与三通阀的出气端口连接，所述三通阀的两个进气端口分别与氩气进气管道和氮气进气管道...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晨博，刘跃，苏亚青，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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