【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
1、半导体封装结构不仅可以为半导体晶粒提供免受环境污染的保护，而且还可以提供封装在其中的半导体晶粒与诸如印刷电路板(printed circuit board,pcb)的基板之间的电连接。
2、尽管现有的半导体封装结构总体上满足对其的要求，但它们在各方面还不能令人满意。例如，随着半导体晶粒变得包括越来越多的功能，制造半导体封装结构的成本和难度增加。因此，需要进一步改进半导体封装结构。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装结构，以解决上述问题。
2、根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体封装结构，包括：
3、第一重分布层；
4、第二重分布层，设置在所述第一重分布层上方；
5、第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，垂直堆叠在所述第一重分布层和所述第二重分布层之间，其中所述第一半导体晶粒电耦接到所述第一重分布层，并且所述第二半导体晶粒电耦接到所述第二重分布层；
6、粘合层，在所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒之间延伸；以及
7、模塑料，围绕所述第一半导体晶粒、所述粘合层和所述第二半导体晶粒。
8、进一步的，还包括：第一导电连接器，将所述第一半导体晶粒电耦接到所述第一重分布层；以及第二导电连接器，将所述第二半导体晶粒电耦接至所述第二重分布层。以进行第一半导体晶粒和第二半导体晶粒的电性连接。
9、进一步的
10、进一步的，还包括：封装结构，配置于所述第二重分布层上方，且包括电性耦接至所述第二重分布层的导电端子；以及第三半导体晶粒，设置在多个所述导电端子之间并且电耦接到所述第二重分布层。
11、进一步的，还包括第三半导体晶粒，设置在所述粘合层上方并电耦接至所述第二重分布层。以提供具有更多晶粒的封装结构。
12、进一步的，所述第三半导体晶粒被所述模塑料围绕。从而保护第三半导体晶粒。
13、进一步的，还包括导电柱，延伸穿过所述模塑料且电性耦接所述第一重分布层至所述第二重分布层。以将晶粒与晶粒之间电连接。
14、根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体封装结构，包括：
15、第一封装结构，包括：
16、第一重分布层；
17、第一半导体晶粒，设置在所述第一重分布层之上并且通过第一导电连接器电耦接到所述第一重分布层；
18、第二半导体晶粒，设置在所述第一半导体晶粒上方；
19、粘合层，连接所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒；以及
20、第二重分布层，设置在所述第二半导体晶粒之上并且通过所述第二导电连接器电耦接到所述第二半导体晶粒；以及
21、第二封装结构，设置于所述第一封装结构之上。
22、进一步的，所述第一导电连接器设置于第一介电层中，且所述第二导电连接器设置于第二介电层中。以进行晶粒和晶粒的电性连接。
23、进一步的，还包括围绕所述第一介电层、所述第一半导体芯片、所述粘合层、所述第二半导体芯片以及所述第二介电层的模塑料。使用模塑料保护内部的部件，以免损坏。
24、进一步的，还包括凸块结构，所述凸块结构将所述第一导电连接器电连接至所述第一重分布层并且被底部填充材料围绕。以进行晶粒和晶粒的电性连接，并且凸块结构可以更容易的将第一导电连接器与第一重分布层电连接和接合。
25、进一步的，还包括第三半导体晶粒，设置在所述第二封装结构下方并电耦接到所述第二重分布层。以提供具有更多晶粒的封装结构。
26、进一步的，还包括设置在所述第二重分布层上方并包围所述第三半导体晶粒的底部填充材料。以保护第三半导体晶粒。
27、进一步的，还包括堆叠在所述第一半导体晶粒上方并通过所述粘合层连接到所述第一半导体晶粒的第三半导体晶粒。
28、进一步的，所述第三半导体晶粒通过第三导电连接器电耦接至所述第二重分布层。以电性连接到其他晶粒和部件。
29、根据本专利技术的第三方面，公开一种半导体封装结构，包括：
30、第一重分布层；
31、第二重分布层，设置在所述第一重分布层上方；
32、第一半导体晶粒，设置在所述第一重分布层和所述第二重分布层之间并且电耦接到所述第一重分布层；
33、第二半导体晶粒和第三半导体晶粒，并排设置在所述第一半导体晶粒之上并且电耦接到所述第二重分布层；
34、粘合层，连接所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒并且连接所述第一半导体晶粒和所述第三半导体晶粒；以及
35、模塑料，包围所述第一半导体晶粒、所述粘合层、所述第二半导体晶粒和所述第三半导体晶粒。
36、进一步的，还包括第一导电端子，设置于所述第一重分布层下方并电性耦接所述第一重分布层。从而便于进一步的电连接。
37、进一步的，还包括：第二导电端子，设置于所述第二重分布层上方并电性耦接至所述第二重分布层；第四半导体晶粒，设置在所述第二导电端子之间并且电耦接到所述第二重分布层；以及底部填充材料，围绕所述第二导电端子和所述第四半导体晶粒。从而便于进一步的电连接。
38、进一步的，还包括：第一导电连接器，将所述第一半导体晶粒电耦接到所述第一重分布层；第二导电连接器，将所述第二半导体晶粒电耦接至所述第二重分布层；以及第三导电连接器，将所述第三半导体晶粒电耦接至所述第二重分布层。从而将晶粒之间电性连接，以及与其他部件的电性连接。
39、进一步的，还包括将所述第一半导体晶粒电耦接至所述第一重分布层的凸块结构。以进行晶粒和晶粒的电性连接，并且凸块结构可以更容易的将第一导电连接器与第一重分布层电连接和接合。
40、本专利技术的半导体封装结构由于包括：第一重分布层；第二重分布层，设置在所述第一重分布层上方；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，垂直堆叠在所述第一重分布层和所述第二重分布层之间，其中所述第一半导体晶粒电耦接到所述第一重分布层，并且所述第二半导体晶粒电耦接到所述第二重分布层；粘合层，在所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒之间延伸；以及模塑料，围绕所述第一半导体晶粒、所述粘合层和所述第二半导体晶粒。本专利技术的半导体封装结构包括通过粘合层堆叠的半导体晶粒，而不是通过凸块结构将第一半导体晶粒与第二半导体晶粒之间进行接合；半导体晶粒背面靠背面堆叠，因此，可以提高制造堆叠半导体晶粒和设计的灵活性，并且可以降低成本。
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1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括凸块结构，将所述第一导电连接器电性连接至所述第一重分布层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三半导体晶粒，设置在所述粘合层上方并电耦接至所述第二重分布层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三半导体晶粒被所述模塑料围绕。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括导电柱，延伸穿过所述模塑料且电性耦接所述第一重分布层至所述第二重分布层。
8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电连接器设置于第一介电层中，且所述第二导电连接器设置于第二介电层中。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括围绕所述第一介电层
11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括凸块结构，所述凸块结构将所述第一导电连接器电连接至所述第一重分布层并且被底部填充材料围绕。
12.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三半导体晶粒，设置在所述第二封装结构下方并电耦接到所述第二重分布层。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第二重分布层上方并包围所述第三半导体晶粒的底部填充材料。
14.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括堆叠在所述第一半导体晶粒上方并通过所述粘合层连接到所述第一半导体晶粒的第三半导体晶粒。
15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三半导体晶粒通过第三导电连接器电耦接至所述第二重分布层。
16.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第一导电端子，设置于所述第一重分布层下方并电性耦接所述第一重分布层。
18.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
19.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
20.根据权利要求19所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括将所述第一半导体晶粒电耦接至所述第一重分布层的凸块结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括凸块结构，将所述第一导电连接器电性连接至所述第一重分布层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三半导体晶粒，设置在所述粘合层上方并电耦接至所述第二重分布层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三半导体晶粒被所述模塑料围绕。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括导电柱，延伸穿过所述模塑料且电性耦接所述第一重分布层至所述第二重分布层。
8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电连接器设置于第一介电层中，且所述第二导电连接器设置于第二介电层中。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括围绕所述第一介电层、所述第一半导体芯片、所述粘合层、所述第二半导体芯片以及所述第二介电层的模塑料。
11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括凸块结...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宜霖，洪坤廷，陈银发，陈麒元，许文松，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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