【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电介质组合物、电容元件、光催化剂材料及光电转换元件。
技术介绍
1、随着数字设备的高性能化，对电容元件要求进一步的高容量化。作为电容元件的高容量化的方法，研究了使用具有高介电性能的介电组合物的方法。另外，可见光催化材料和可见光光电转换元件也要求具有高介电性能的介电组合物。
2、例如，研究了使用如非专利文献1中记载的batao2n那种钙钛矿型氮氧化物。
3、现有技术文献
4、非专利文献
5、非专利文献1：akira hosono，yuji masubuchi，shintaro yasui，masakitakesada，takashi endo，mikio higuchi，mitsuru itoh，and shinichi kikkawa“ferroelectric batao2n crystals grown in a bacn2flux“inorg.chem.58(24)16752-16760，2019.
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的目的在于得到相对介电常数良好的电介质组合物等。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的第一方面提供一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，在拉曼位移为500cm-1以下的范围内，通过拉曼光谱法检测出因上述氮氧化物的结晶具有对称中心而引起的峰。
5、本专利技术的第二方面提供一种具有氮氧化物的结晶的电
6、也可以是，在500℃以上且700℃以下，上述峰的积分强度减少。
7、本专利技术的第三方面提供一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，在拉曼位移为500cm-1以下的范围内，通过拉曼光谱法检测出峰，对于角分辨显微偏振拉曼光谱进行分析而获得的分析结果显示：上述峰的积分强度具有旋转角度依赖性，且上述氮氧化物的结晶结构是对称性比立方晶结构低的结晶结构。
8、也可以是，本专利技术的第一～第三方面的电介质组合物中，上述氮氧化物为钙钛矿型氮氧化物。
9、也可以是，本专利技术的第一～第三方面的电介质组合物中，上述氮氧化物具有选自la、ba和sr中的一种以上。
10、本专利技术的电容元件具有上述电介质组合物。
11、本专利技术的可见光催化材料具有上述电介质组合物。
12、本专利技术的可见光光电转换元件具有上述电介质组合物。
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1.一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，
2.一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，
3.根据权利要求2所述的电介质组合物，其中，
4.一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电介质组合物，其中，
6.根据权利要求1～4中任一项所述的电介质组合物，其中，
7.一种电容元件，其具有权利要求1～6中任一项所述的电介质组合物。
8.一种可见光催化材料，其具有权利要求1～6中任一项所述的电介质组合物。
9.一种可见光光电转换元件，其具有权利要求1～6中任一项所述的电介质组合物。
【技术特征摘要】
1.一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，
2.一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，
3.根据权利要求2所述的电介质组合物，其中，
4.一种具有氮氧化物的结晶的电介质组合物，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电介质组合物，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎久美子，加纳朱杜，鳟渊友治，吉川信一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：
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