【技术实现步骤摘要】
实施例涉及半导体器件。
技术介绍
1、随着电子工业的发展和用户的需要，电子器件已经在尺寸上变得越来越小并且在性能上变得越来越高。因此，也要求电子装置中使用的半导体器件具有高集成度并实现高性能。为了制造高性能的半导体器件，字线被形成为具有较窄的线宽度，因此，可能发生诸如字线断裂的缺陷。
技术实现思路
1、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有单元阵列区域、外围电路区域、以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域；器件隔离区域，所述器件隔离区域在所述单元阵列区域上限定单元有源区域、在所述外围电路区域上限定外围有源区域、并且在所述连接区域上限定虚设有源区域；栅极结构，所述栅极结构包括跨越所述单元阵列区域上的所述单元有源区域延伸到所述连接区域上的所述器件隔离区域中的栅电极，其中，所述虚设有源区域与所述单元有源区域相邻，并且其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，低于所述单元有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度。
2、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有单元阵列区域、外围电路区域、以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域；器件隔离区域，所述器件隔离区域在所述衬底上在所述单元阵列区域上限定单元有源区域、在所述外围电路区域上限定外围有源区域、并且在所述连接区域上限定虚设有源区域；栅极结构，所述栅极结构包括跨越所述单元有源区域和
3、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有单元阵列区域、外围电路区域、以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域；位线结构，所述位线结构位于所述单元阵列区域上，所述位线结构包括位线和连接到所述位线的下表面的位线接触图案；虚设位线结构，所述虚设位线结构位于所述连接区域上，所述虚设位线结构包括虚设位线；单元有源区域，所述单元有源区域位于所述位线结构下方并且通过所述位线接触图案电连接到所述位线；虚设有源区域，所述虚设有源区域位于所述虚设位线结构下方并且与所述虚设位线电绝缘；以及栅极结构，所述栅极结构包括跨越所述单元阵列区域上的所述单元有源区域延伸的栅电极，其中，所述虚设有源区域的上表面与所述虚设位线的下表面之间的距离大于所述单元有源区域的上表面与所述位线的下表面之间的距离。
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1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，比所述单元有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度低至
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的宽度大于所述单元有源区域的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的宽度在所述单元有源区域的宽度的1.5倍至3倍的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极具有位于所述连接区域上的所述器件隔离区域中的端表面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，高于所述器件隔离区域的与所述虚设有源区域相邻的部分的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，与所述器件隔离区域
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，低于所述器件隔离区域的与所述虚设有源区域相邻的部分的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述栅电极包括朝向所述虚设有源区域突出的突起部分。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述突起部分具有倾斜侧表面并且朝向所述虚设有源区域变得越来越窄。
12.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中：
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述上凹进区域和所述下凹进区域中的每一者的至少一部分与所述虚设有源区域垂直地交叠。
17.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述虚设位线的宽度大于所述位线的宽度。
19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的至少一部分与所述虚设位线垂直地交叠。
20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的上表面与所述栅电极的上表面之间的距离大于所述单元有源区域的上表面与所述栅电极的上表面之间的距离。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，比所述单元有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度低至
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的宽度大于所述单元有源区域的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的宽度在所述单元有源区域的宽度的1.5倍至3倍的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极具有位于所述连接区域上的所述器件隔离区域中的端表面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，高于所述器件隔离区域的与所述虚设有源区域相邻的部分的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度，与所述器件隔离区域的与所述虚设有源区域相邻的部分的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度基本上相同。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交...
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