薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构技术

本公开涉及一种薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构，包括：提供基底；在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层；采用热扩散方法经由所述类金刚石碳膜层的顶面向其内掺杂硼族元素，以得到第二预设厚度的掺杂层，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度。本公开提供的薄膜结构不仅具有更高的选择比及更高的硬度，还具有更好的稳定性、抗氧化性以及耐磨性能，采用此薄膜结构作为掩膜层进行刻蚀工艺，能够在降低光刻胶的高度的同时保证图案转移的精确度，防止图案畸变，并避免光刻胶过高从而造成倒塌的现象，从而提升半导体产品的良率以及降低半导体产品的制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构。

技术介绍

1、随着集成电路的快速发展，类金刚石碳薄膜(diamond-like carbon films，简称dlc薄膜)由于具有一系列优异的性能被作为新型的硬质薄膜材料，可广泛用于机械、电子、光学、热学、声学、医学等领域。类金刚石碳薄膜是一种由碳元素构成、在性质上和钻石类似，同时又具有石墨原子组成结构的非晶态薄膜，主要由sp3键(金刚石相)和sp2键(石墨相)的三维交叉网络混合而成。目前制备类金刚石碳薄膜的方法很多，不同的制备方法所用的碳源以及到达基体表面的离子能量不同，沉积的类金刚石碳薄膜的结构和性能存在很大差别。

2、随着集成电路临界尺寸的微缩，类金刚石碳薄膜作为一种硬掩膜被广泛应用到半导体制造行业中，然而，传统的类金刚石碳薄膜在进行图案转移的过程中，因薄膜自身性能达不到需求而需要光刻胶涂布较厚从而导致光刻胶易倒塌的情况，大大增加了半导体产品制造的时间成本和经济成本。因此，亟须提供一种性能满足需求的新型薄膜，尽可能降低光刻胶的高度并提高图案转移的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述预设气体包括烃前驱物与氟前驱物；所述在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层，包括：

3.根据权利要求1所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述预设气体包括烃前驱物与氟前驱物；所述在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层，包括：

4.根据权利要求3所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，控制所述掺杂硼族元素的扩散深度为3nm-7nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜结构的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述预设气体包括烃前驱物与氟前驱物；所述在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层，包括：

3.根据权利要求1所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述预设气体包括烃前驱物与氟前驱物；所述在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层，包括：

4.根据权利要求3所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，控制所述掺杂硼族元素的扩散深度为3nm-7nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述硼族元素包括硼、铝、镓、铟、铊及鉨中至少一种。

6.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述采用热扩散方法经由所述类金刚石碳膜层的顶面向其内掺杂硼族元素之后，包括：

7.根据权利要求6所述的薄膜结构的制备方法，其特征在于，控制真空退火工艺的退火温...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶传瑶，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：