【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，且特别涉及一种三维半导体的装置。
技术介绍
1、近年来，半导体装置的需求量很大。随着三维半导体装置的发展，由于鳍式场效应晶体管(finfet)具有更高的装置密度和更高的性能而成为主流。鳍式场效应晶体管可以应用于双极性晶体管(bjt)。目前，仍亟需研究一种改进的finfet bjt。
技术实现思路
1、本专利技术涉及一种半导体装置，由于阱阻挡层设置于射极区中的栅极结构之下，可显著提升电流增益。
2、根据本专利技术的一实施例，提出一种半导体装置。半导体装置包括一基板、一鳍状结构、一栅极结构以及一第一阱。鳍状结构设置于基板之上。栅极结构设置于基板之上。鳍状结构的一延伸方向交叉于栅极结构的一延伸方向。第一阱设置于栅极结构之下，对应于半导体装置的一射极区，且第一阱具有一第一导电型，其中第一阱邻近于一阱阻挡层，阱阻挡层设置于射极区中的栅极结构之下。其中阱阻挡层具有一阱掺杂质的一第一掺杂浓度，第一阱具有阱掺杂质的一第二掺杂浓度，且第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。
3、根据本专利技术的另一实施例，提出一种半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法包括下述步骤。首先，提供一基板。接着，形成一鳍状结构，鳍状结构设置于基板之上。形成一栅极结构，栅极结构设置于基板之上，其中鳍状结构的一延伸方向交叉于栅极结构的一延伸方向。形成一第一阱，第一阱设置于栅极结构之下，对应于半导体装置的一射极区。形成一阱阻挡层，阱阻挡层设置于射极区中的栅极结构之下。其中，阱阻挡层
4、为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构的该延伸方向垂直于该栅极结构的该延伸方向。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构的该延伸方向垂直于该阱阻挡层的延伸方向。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电型是p型。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电型是n型。
6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括第二阱，该第二阱具有第二导电型，该第二导电型不同于该第一导电型，其中该第二阱设置于该第一阱之下。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导电型是p型，该第二导电型是n型。
8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括基极区及集极区，其中该基极区环绕该射极区，且该集极区环绕该基极区。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该栅极结构还包括第一栅极氧化物，该第一栅极氧化物设置于该阱阻挡层之上，且该第一栅极氧化物的厚度相同于设置于核心单元中的第二栅极氧化物的厚度。
10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括基极区及
11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该栅极结构还包括第一栅极氧化物，该第一栅极氧化物设置于该阱阻挡层之上，且该第一栅极氧化物的厚度相同于设置于输入/输出装置中的第二栅极氧化物的厚度。
12.如权利要求1所述的半导体装置，还包括源极/漏极结构，该源极/漏极结构设置于该基板之上且邻近于该栅极结构。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该源极/漏极结构的材料包括磷化硅。
14.如权利要求12所述的半导体装置，其中该源极/漏极结构的材料包括硅锗。
15.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极结构包括电极层，且该阱阻挡层的宽度大于该电极层的宽度。
16.一种半导体装置的制作方法，包括：
17.如权利要求16所述的半导体装置的制作方法，还包括：
18.如权利要求17所述的半导体装置的制作方法，还包括将具有第二导电型的掺杂质掺杂于对应于该射极区的该基板，以形成第二阱，该第二导电型不同于该第一导电型，其中该第二阱设置于该第一阱之下。
19.如权利要求17所述的半导体装置的制作方法，还包括在形成该栅极结构之后形成源极/漏极结构，该源极/漏极结构设置于该基板之上且邻近于该栅极结构，其中该栅极结构的形成是在该阱阻挡层的形成之后。
20.如权利要求19所述的半导体装置的制作方法，其中该源极/漏极结构包括材料，该材料是磷化硅或硅锗。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构的该延伸方向垂直于该栅极结构的该延伸方向。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构的该延伸方向垂直于该阱阻挡层的延伸方向。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电型是p型。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电型是n型。
6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括第二阱，该第二阱具有第二导电型，该第二导电型不同于该第一导电型，其中该第二阱设置于该第一阱之下。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导电型是p型，该第二导电型是n型。
8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括基极区及集极区，其中该基极区环绕该射极区，且该集极区环绕该基极区。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该栅极结构还包括第一栅极氧化物，该第一栅极氧化物设置于该阱阻挡层之上，且该第一栅极氧化物的厚度相同于设置于核心单元中的第二栅极氧化物的厚度。
10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括基极区及集极区，其中该射极区、该基极区和该集极区的延伸方向是互相平行。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该栅极结构还包括第一栅极氧化物，该第一栅极氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘贞维，卓昇，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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