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薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构技术
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文档序号:40107660
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本公开涉及一种薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构,包括:提供基底;在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层;采用热扩散方法经由所述类金刚石碳膜层的顶面向其内掺杂硼族元素,以得到第二预设厚度的掺杂层,所述第二...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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