发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层；多量子阱层包括依次层叠的第一多量子阱层、末阱层和末垒层，第一多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替层叠形成的周期性结构；末垒层包括依次层叠的YGaN层和GaN层；YGaN层中Y组分占比≤0.2；电子阻挡层为P型AlScN层，其Al组分占比≥0.85；P型半导体层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的第一P型GaN层、P型BGaN层和第二P型GaN层。实施本发明专利技术，可提升发光二极管在各电流密度下的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

1、发光二极管是照明领域的巨大革新，其应用在人们生活的各个方面。但目前led等仍然存在着随着输入电流的增大，器件的内量子效率（internal quantum efficiency，iqe）衰减（efficiency droop）的问题。一般认为，导致efficiency droop的主要原因是漏电子。具体的由于传统的gan量子垒层与algan型电子阻挡层之间存在了晶格失配，会引起极化形成正电荷，从而降低了algan电子阻挡层的势垒，使得电子泄露。针对上述问题，一种方法是提高电子阻挡层的势垒，但这会降低空穴注入多量子阱层的效率，降低发光效率。另一种常见的方法是在多量子阱层的最后一个势垒层中引入p型掺杂的ingan层，以减少漏电子。但p型掺杂元素mg会扩散进入多量子阱层中的其他量子阱层，使得晶格质量降低，在电流密度比较低时，发光效率不高。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述末阱层为InGaN层，其In组分占比为0.15~0.45，厚度为4nm~7nm；

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱层为InxGa1-xN层，x为0.15~0.45，所述量子阱层的厚度为3nm~5nm；

4.如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述YGaN层中Y组分占比≤0.15，所述量子阱层的厚度小于所述末阱层的...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、p型半导体层和p型接触层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述末阱层为ingan层，其in组分占比为0.15~0.45，厚度为4nm~7nm；

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱层为inxga1-xn层，x为0.15~0.45，所述量子阱层的厚度为3nm~5nm；

4.如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述ygan层中y组分占比≤0.15，所述量子阱层的厚度小于所述末阱层的厚度。

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型alscn层中al组分占比为0.88~0.95，p型掺杂浓度为5×1017cm-3~7×1018c...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文杰，曹斌斌，程龙，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：