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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层；多量子阱层包括依次层叠的第一多量子阱层、末阱层和末垒层，第...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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