【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及树脂片、具备该树脂片的固化物的叠层体、以及具备该叠层体的半导体装置。
技术介绍
1、以往，在产业用设备、家庭用电气设备、信息终端等广泛的领域中，使用了电源模块。对于电源模块，进行了使用树脂片作为基板的尝试，期待使用了树脂片的电源模块向例如高电压用途的展开。对这样的树脂片一般而言要求导热性优异。
2、从这样的观点考虑，作为树脂片所含有的无机填料，已知使具有高导热率的氮化硼高填充的技术。另一方面，如果使氮化硼高填充，则有时在树脂片易于形成空隙，绝缘性降低。
3、从解决该问题的观点考虑，在专利文献1中，记载了与绝缘片的制造方法有关的专利技术，上述绝缘片的制造方法是将包含含有氮化硼的凝集体和环氧树脂的树脂片2片叠层，进行热压从而使绝缘层形成的绝缘片的制造方法，其特征在于，将热压前后的厚度的关系、175℃下的粘度调整为特定范围。显示出通过该制造方法，从而获得导热性和绝缘性优异的绝缘片。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本专利第6214336号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、根据上述专利文献1所记载的专利技术，片中的空隙被一定程度减少，绝缘性提高。然而，近年来，要求与以往的绝缘片相比绝缘性更高的树脂片。此外，对于现有技术，空隙率与绝缘性的详细关系丝毫未明确。进一步，对于树脂片，除了绝缘性、导热性以外，也需要对用于形成电路图案的金属板的密合性优异，期待满足这些物性的树脂片的
3、因此本专利技术以提供绝缘性和导热性优异，并且对金属板的密合性优异的树脂片作为目的。
4、用于解决课题的手段
5、本专利技术人等为了达到上述目的而反复进行了深入研究。其结果发现，通过下述树脂片可以解决上述课题，从而完成了本专利技术，上述树脂片是含有粘合剂树脂和氮化硼粒子的树脂片，使氮化硼粒子的含量、树脂片的截面中的空隙率、和熔融粘度比率为特定范围。
6、即，本专利技术涉及下述[1]～[14]。
7、[1]一种树脂片，其含有粘合剂树脂和氮化硼粒子，氮化硼粒子的含量为30体积％以上且80体积％以下，树脂片的截面中的空隙率为0.01％以上且2.0％以下，在从40℃到195℃以8℃/分钟的升温速度测定的熔融粘度测定中，由下述式求出的熔融粘度比率为2以上。
8、熔融粘度比率＝[40℃～195℃中的最大熔融粘度(pa·s)]/[40℃～100℃中的平均熔融粘度(pa·s)]
9、[2]根据上述[1]所述的树脂片，其含有除上述氮化硼粒子以外的无机填料。
10、[3]根据上述[2]所述的树脂片，除上述氮化硼粒子以外的无机填料为选自氧化铝、氮化铝、氧化镁、金刚石、和碳化硅中的至少1种。
11、[4]根据上述[2]或[3]所述的树脂片，除上述氮化硼粒子以外的无机填料的含量为2体积％以上且55体积％以下。
12、[5]根据上述[2]～[4]中任一项所述的树脂片，上述氮化硼粒子与除上述氮化硼粒子以外的无机填料的合计的含量为65体积％以上且80体积％以下。
13、[6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的树脂片，上述氮化硼粒子包含氮化硼凝集粒子。
14、[7]上述[1]～[6]中任一项所述的树脂片的固化物。
15、[8]根据上述[7]所述的树脂片的固化物，其导热率为10w/(m·k)以上。
16、[9]一种叠层体，其具备上述[7]或[8]所述的树脂片的固化物、金属底板、和金属板，在上述金属底板上依次具备上述树脂片的固化物和上述金属板。
17、[10]根据上述[9]所述的叠层体，上述叠层体为电路基板。
18、[11]根据上述[9]或[10]所述的叠层体，上述金属板具有电路图案。
19、[12]一种半导体装置，其具有上述[9]～[11]中任一项所述的叠层体、和被设置在上述金属板上的半导体元件。
20、[13]一种叠层体的制造方法，所述叠层体具备树脂片的固化物、金属底板、和金属板，在上述金属底板上依次具备上述树脂片的固化物和上述金属板，所述制造方法具有下述工序：
21、将含有粘合剂树脂和氮化硼粒子的固化性树脂组合物进行加热和加压从而制作半固化状态的树脂片的第1热压工序；
22、将上述半固化状态的树脂片配置在上述金属底板与上述金属板之间的叠层工序；以及
23、将在上述叠层工序中被叠层了的半固化状态的树脂片进行加热和加压从而使其正式固化而获得叠层体的第2热压工序，
24、上述半固化状态的树脂片的截面中的空隙率为0.01％以上且2.0％以下，
25、在从40℃到195℃以8℃/分钟的升温速度测定的熔融粘度测定中，由下述式求出的上述半固化状态的树脂片的熔融粘度比率为2以上。
26、熔融粘度比率＝[40℃～195℃中的最大熔融粘度(pa·s)]/[40℃～100℃中的平均熔融粘度(pa·s)]
27、[14]根据上述[13]所述的叠层体的制造方法，上述第1热压工序的压制温度为60℃以上且130℃以下，压制压力为5mpa以上且30mpa以下。
28、专利技术的效果
29、根据本专利技术，可以提供绝缘性和导热性优异，并且对金属板的密合性优异的树脂片。
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1.一种树脂片，其含有粘合剂树脂和氮化硼粒子，
2.根据权利要求1所述的树脂片，其含有除所述氮化硼粒子以外的无机填料。
3.根据权利要求2所述的树脂片，除所述氮化硼粒子以外的无机填料为选自氧化铝、氮化铝、氧化镁、金刚石、和碳化硅中的至少1种。
4.根据权利要求2或3所述的树脂片，除所述氮化硼粒子以外的无机填料的含量为2体积％以上且55体积％以下。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的树脂片，所述氮化硼粒子与除所述氮化硼粒子以外的无机填料的合计的含量为65体积％以上且80体积％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂片，所述氮化硼粒子包含氮化硼凝集粒子。
7.权利要求1～6中任一项所述的树脂片的固化物。
8.根据权利要求7所述的树脂片的固化物，其导热率为10W/(m·K)以上。
9.一种叠层体，其具备权利要求7或8所述的树脂片的固化物、金属底板、和金属板，在所述金属底板上依次具备所述树脂片的固化物和所述金属板。
10.根据权利要求9所述的叠层体，所述叠层体为电路基板。
11.根据权利要求9或10所述的叠层体，所述金属板具有电路图案。
12.一种半导体装置，其具备权利要求9～11中任一项所述的叠层体、和被设置在所述金属板上的半导体元件。
13.一种叠层体的制造方法，所述叠层体具备树脂片的固化物、金属底板、和金属板，在所述金属底板上依次具备所述树脂片的固化物和所述金属板，所述制造方法具有下述工序：
14.根据权利要求13所述的叠层体的制造方法，所述第1热压工序的压制温度为60℃以上且130℃以下，压制压力为5MPa以上且30MPa以下。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种树脂片，其含有粘合剂树脂和氮化硼粒子，
2.根据权利要求1所述的树脂片，其含有除所述氮化硼粒子以外的无机填料。
3.根据权利要求2所述的树脂片，除所述氮化硼粒子以外的无机填料为选自氧化铝、氮化铝、氧化镁、金刚石、和碳化硅中的至少1种。
4.根据权利要求2或3所述的树脂片，除所述氮化硼粒子以外的无机填料的含量为2体积％以上且55体积％以下。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的树脂片，所述氮化硼粒子与除所述氮化硼粒子以外的无机填料的合计的含量为65体积％以上且80体积％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂片，所述氮化硼粒子包含氮化硼凝集粒子。
7.权利要求1～6中任一项所述的树脂片的固化物。
8.根据权利要求7所述的树脂片的固化物，其导热率为10w...
【专利技术属性】
技术研发人员：水野翔平，高丽亚希，大鹫圭吾，金岛雄辉，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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