【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种多晶硅片的清洗方法及半导体器件的回收方法。
技术介绍
1、多晶硅薄膜广泛的作为mos晶体管栅极和mos电路中的互联，它还可以被用作电阻器，以及确保浅结的欧姆接触，并且多晶硅与高温处理兼容，热制程的二氧化硅的界面非常好。重掺杂的多晶硅薄膜可以用于双极电路的发射极结构，轻掺杂的多晶硅薄膜也可以用作电阻器，多晶硅凭借其优异的物理和化学性能在半导体芯片的制造中具有极其重要的作用。
2、对于日常的多晶硅的制程中会涉及到对该制程的质量的监控，会使用控片对制程的颗粒、厚度、电阻率和掺杂量等参数进行监控，对多晶硅的控片进行有效的回收循环使用具有重要的经济意义和价值。通常对于多晶硅的刻蚀回收会使用经济成本较低的酸性的氢氟酸和硝酸（即，hf/hno）作为刻蚀试剂。参图1所示，图1是一实施例中多晶硅片结构示意图。其中，10-硅片衬底；20-氧化硅层。通常对于多晶硅片，会在硅片衬底10生长多晶硅层前先生长一层氧化层，比如氧化硅层20。氧化硅层20会作为一层缓冲层能够在一定的程度上降低多晶硅的应力的影响，同时可以作为...
【技术保护点】
1.一种多晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述对热退火处理之后的硅片使用氢氟酸和硝酸的混合液进行清洗的时间为：
3.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层为P型掺杂的多晶硅层。
4.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层掺杂的元素为硼，或镓，或铝。
5.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅层。
6.根据权利要求5所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述对热退火处理之后的硅片使用氢氟酸和硝酸的混合液进行清洗的时间为：
3.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层为p型掺杂的多晶硅层。
4.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层掺杂的元素为硼，或镓，或铝。
5.根据权利要求1所述的多晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅层。
6.根据权利要求5所述的多晶硅片的清洗方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文森，王胜林，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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