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本发明提供了一种多晶硅片的清洗方法及半导体器件的回收方法，属于半导体技术领域。该多晶硅片的清洗方法包括在硅片衬底表面生长一层氧化层；在氧化层的表面生长一层掺杂的多晶硅层；将生长一层掺杂的多晶硅层之后的硅片于惰性气体环境下进行快速热退火处理；...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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