【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、传统的图像传感器包括微透镜、色彩滤镜、感光片、高速传输电路。其中，微透镜起到收集光线、使像素的感光范围增大并提高图像传感器的灵敏度的作用。
2、传统的微透镜制备方法通常是采用光刻胶热回流软融焊接形成具有一定微阵列的透镜，或者直接在玻璃基板上进行半导体工艺加工。但是，采用光刻胶热回流软融焊接的工艺还存在很多问题，导致形成的微透镜可靠性不佳；直接在玻璃基板上进行工艺加工，一方面容易形成金属污染，另一方面加工难度较大，存在半导体加工工艺在玻璃基板上的兼容性的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法，以解决现有技术中形成的半导体器件可靠性不佳的问题。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供电路基板、透光基板和超透镜；所述电路基板包括半导体衬底和位于所述半导体衬底一侧的电路层；所述透光基板包括透明衬底和位于所述透明衬底一侧的信号传输层；
4、在所述电路层远离所述半导体衬底的一侧表面沉积第一氧化层；
5、图形化所述第一氧化层，并在所述第一氧化层形成第一开口；
6、在所述第一开口内制作第一对准结构；
7、将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合；
8、在所述透明衬底远离所述信号传输层的一侧表面沉积第二氧化层；>
9、将所述超透镜与所述透光基板的第二氧化层键合，得到所述半导体器件。
10、可选的，在所述第一开口内制作第一对准结构之后，以及在将所述电路层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之前，还包括：
11、平坦化所述第一氧化层远离所述电路层的一侧表面。
12、可选的，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之后，还包括：
13、将键合的所述电路基板和所述透光基板退火。
14、可选的，将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合，包括：
15、获取所述第一对准结构的位置坐标；
16、根据所述位置坐标，将所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面对准键合至所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面。
17、可选的，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之前，还包括：
18、在所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面沉积第三氧化层；
19、图形化所述第三氧化层，并在所述第三氧化层形成第二开口；
20、在所述第二开口内制作第二对准结构。
21、可选的，将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合，包括：
22、将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面和所述第三氧化层远离所述透明衬底的一侧表面相对设置；
23、将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述第三氧化层远离所述透明衬底的一侧表面键合，以及将所述第一对准结构与所述第二对准结构键合。
24、可选的，所述电路层包括第一导电结构；所述第一导电结构与所述第一对准结构电连接；
25、所述信号传输层包括第二导电结构；所述第二导电结构与所述第二对准结构电连接。
26、可选的，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之后，还包括：
27、采用机械研磨和/或化学腐蚀的方法，减薄所述半导体衬底。
28、根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件采用上述半导体器件的制备方法制备。
29、可选的，所述半导体器件包括：微机电系统、光电器件或图像传感器。
30、本专利技术的技术方案，通过在电路层远离半导体衬底的一侧表面沉积第一氧化层，可将电路基板与透光基板进行低温熔融键合，一方面，可避免对温度敏感的电路和微结构的破坏，对电子元器件损伤小，另一方面，通过低温键合将电路基板和透光基板集成在一起，可采用半导体加工工艺加工半导体衬底，形成电路层，半导体加工工艺不受透明衬底的限制，无需在透明衬底上进行半导体加工形成电路层，使得制备的半导体器件具有较高的可靠性；通过图形化第一氧化层，形成第一开口，并在第一开口中形成第一对准结构，有利于在键合电路基板与透光基板时进行对准，还有利于电路基板与透光基板的电连接，实现半导体器件的光电功能；通过在透明衬底远离信号传输层的一侧表面沉积第二氧化层，可将超透镜与透光基板进行键合，有利于增强半导体器件的光学聚焦能力，减少镜头模组，有利于提高半导体器件的光通量和半导体器件的轻薄化。本专利技术降低了半导体器件的制备难度，提高了半导体器件的可靠性，可实现半导体器件的批量、标准化生产。
31、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一开口内制作第一对准结构之后，以及在将所述电路层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之后，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之前，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合，包括：
7.根据权利要求6所
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之后，还包括：
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-8中任一项所述的半导体器件的制备方法制备。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：微机电系统、光电器件或图像传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一开口内制作第一对准结构之后，以及在将所述电路层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合之后，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明衬底的一侧表面键合，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在将所述第一氧化层远离所述半导体衬底的一侧表面与所述信号传输层远离所述透明...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘代强，张云，胡昌杰，杨磊，钱清，杨婉君，杨京南，姜喆，王焕橙，
申请(专利权)人：上海芯物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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