一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法技术

本发明专利技术公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法，属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL<subgt;und</subgt;‑TFET器件的栅电容，进而得到N型或P型DL<subgt;und</subgt;‑TFET器件的沟道表面处于耗尽状态时，器件源端的外边缘栅电容面密度C<subgt;OFS0</subgt;和器件漏端的外边缘栅电容面密度C<subgt;OFD0</subgt;；根据公式得到隧穿场效应晶体管的参数L<subgt;und</subgt;。本发明专利技术只需借助半导体分析仪和MATLAB软件即可完成，具有快速、低成本的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法。

技术介绍

1、人工智能物联网(aiot)技术的发展对半导体功耗提出了更高的要求，隧穿场效应晶体管(tfet)被认为是最有潜力的低功耗器件之一。隧穿场效应晶体管的源端和漏端均存在隧穿结，源端的隧穿结用于提供器件导通的开态电流，漏端的隧穿结则会导致器件关态电流增大。一般的，常采取降低漏端杂质掺杂浓度或者制备漏端欠覆盖区的方式，增大漏端隧穿结的隧穿宽度，降低隧穿场效应晶体管漏端隧穿结的带带隧穿电流。

2、漏端欠覆盖区指的是隧穿场效应晶体管的靠近漏端的栅边缘到漏端隧穿结处的电学长度。对于制备漏端欠覆盖区的方式，需要得知器件漏端欠覆盖区的长度用于分离器件涨落源、调整器件电学性能等。但是，通过已有的物理表征方法只能获得单个器件的漏端欠覆盖区的物理长度，且对每个器件进行物理表征的成本较高。因此，需要专利技术一种提取隧穿场效应晶体管漏端欠覆盖区长度的方法，可以仅通过电学表征的方式提取漏端欠覆盖区的电学长度。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法，其步骤包括：

2.如权利要求1所述的提取隧穿场效应晶体管参数的方法，其特征在于，用半导体参数分析仪测量N型或P型DLund-TFET器件的栅电容，进而得到N型或P型DLund-TFET器件的沟道表面处于积累状态或反型状态时器件源端的外边缘栅电容面密度COFS1、N型或P型DLund-TFET器件的沟道表面处于反型状态或积累状态时器件漏端的外边缘栅电容面密度COFD2和DLund-TFET器件的等效栅氧化层电容面密度COX，根据被测DLund-TFET器件的版图获得其栅长LG的数值，根据公式(2)、(3)、(4)计算EOT、εOFF和εO...

【技术特征摘要】

1.一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法，其步骤包括：

2.如权利要求1所述的提取隧穿场效应晶体管参数的方法，其特征在于，用半导体参数分析仪测量n型或p型dlund-tfet器件的栅电容，进而得到n型或p型dlund-tfet器件的沟道表面处于积累状态或反型状态时器件源端的外边缘栅电容面密度cofs1、n型或p型dlund-tfet器件的沟道表面处于反型状态或积累状态时器件漏端的外边缘栅电容面密度cofd2和dlund-tfet器件的等效栅氧化层电容面密度cox，根据被测dlund-tfet器件的版图获得其栅长lg的数值，根据公式(2)、(3)、(4)计算eot、εoff和εon的数值；

3.如权利要求1所述的提取隧穿场效应晶体管参数的方法，其特征在于，用半导体参数分析仪测量不同栅电压vg对应的n型或p型dlund-tfet器件的栅源电容和栅漏电容，源电压vs和漏电压vd均为0v，栅电压vg的扫描范围是从-vdd到vdd，vdd是dlund-tfet器件组成的电路对应的电源电压，每种栅长的dlund-tfet器件测试n个，一共测试m种栅长的器件，n的大小是大于等于1的正整数，m的大小是大于等于1的正整数。

4.如权利要求3所述的提取隧穿场效应晶体管参数的方法，其特征在于，对于每种栅长的dlund-tfet器件，计算n个器件的栅源电容、栅漏电容的平均值，并除以器件的栅面积得到平均栅源电容面密度cgs和平均栅漏电容面密度cgd，将cgs和cgd相加得到平均栅电容面密度cgg，且得到平均栅源电容面密度cgs、平均栅漏电容面密度cgd和平均栅电容面密度cgg相对于栅电压vg的变化曲线，定义“cgg-vg”曲线中间段饱和区的某一个栅电压为v0，定义dlund-tfet器件的“cgs-vg”曲线第二次开启后的饱和区中的某一个栅电压为v...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄芊芊，王凯枫，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：