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本发明公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法，属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL<subgt;und</subgt;‑TFET器件的栅电容，进而得到N型或P型DL<subgt;und</...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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