面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法技术

本发明专利技术公开了一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，首先在基板表面依次形成阻挡层、金属种子层、第一金属层和第二金属层；随后低温回流引发原位冶金反应，然后通过固相热处理推进金属间化合物平坦化生长，并通过电解抛光去除未反应的第二金属层，得到面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物；最后通过四探针法测试依附于基板的可测试性的面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物的电阻率。本发明专利技术技术可制备层厚可控、成分准确、高表面平整度、高致密度的可测试性界面金属间化合物，为芯粒互连焊点界面金属间化合物电阻率测量提供了一条可行路径，其实现方法简单，技术灵活，具有普适性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微尺度材料性能测试领域，尤其涉及一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法。

技术介绍

1、在过去数十年来，随着集成电路行业的持续发展，半导体制程跨入了3nm时代。进一步提高半导体工艺制程将导致芯片设计和制造成本陡升。在此背景下，基于先进封装的芯粒异构集成技术应运而生。芯粒技术模块化组装的形式导致芯粒片间互连变得至关重要。

2、芯粒技术对于片间互连的极大需求导致先进封装技术朝着高密度封装方向发展。高密度封装促使芯粒互连焊点的尺寸在不断减小。对于常见的sn基钎料焊点，sn会与铜柱及凸点下金属层等发生冶金反应，生成相应的金属间化合物。随着互连焊点尺寸的不断减小，其内部生成的金属间化合物的厚度也在不断减小，但其在互连焊点中的占比却在不断提高。考虑到金属间化合物与初始锡基钎料电学特性的差异，以及微尺度金属间化合物与其宏观块体材料电阻特性可能存在的差异，亟待探明微尺度金属间化合物的电阻特性，为高密度封装互连的电学可靠性研究提供基础参数支撑。

3、对于芯粒互连焊点内部金属间化合物电阻特性的测量，其难点在于无法对芯粒互连焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，所述基板为表面形成SiO2绝缘层的硅基板或绝缘石英玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，所述阻挡层为Ti阻挡层或Ta阻挡层。

4.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，所述第一金属层的熔点高于所述第二金属层的熔点。

5.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的...

【技术特征摘要】

1.一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，所述基板为表面形成sio2绝缘层的硅基板或绝缘石英玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，所述阻挡层为ti阻挡层或ta阻挡层。

4.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，其特征在于，所述第一金属层的熔点高于所述第二金属层的熔点。

5.根据权利要求1所述的一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鸿博，毛海荣，张帅，曾令仿，陈光，蔡志翔，戴雨洋，程稳，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：