【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路工艺制造领域，特别是涉及一种改善注入后薄片电阻稳定性的方法。
技术介绍
1、由于半导体工业所制造的集成电路元件尺寸越来越小，对半导体各器件性能的要求越来越高，而薄片电阻作为表征半导体器件性能的一个重要参数，其稳定性显得尤为重要。
2、通常在集成电路制造过程中，薄片电阻掺杂前会有一道牺牲氧化层的生长，作为注入阻挡层，这层牺牲氧化层的厚度(thickness，t)会影响后续掺杂工艺，进而影响到薄片电阻；后续采用干法刻蚀去除这道氧化层时，由于等离子plasma的引入，高能粒子会与晶格上的原子碰撞，使得一些晶格原子发生位移，原本在替代位置上的杂质原子散射到间隙位置，因此同样也会导致薄片电阻的变化。
3、从注入阻挡层厚度的角度来分析：
4、经过测试获得的数据显示，薄片电阻同注入阻挡层的厚度成正比，同注入剂量成反比。因此，根据注入阻挡层厚度对后续注入剂量进行补偿，能很好的降低注入阻挡层膜厚波动对薄片电阻的影响。
5、从降低晶格损伤的角度：
6、传统注入工艺中，对...
【技术保护点】
1.一种改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：
2.如权利要求1所述的改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：所述的半导体衬底包括硅衬底、锗硅衬底、砷化镓衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底。
3.如权利要求1所述的改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：对打开的离子注入窗口进行离子注入，离子注入剂量是根据每lot批次注入前测量得到的牺牲氧化层的厚度T，按比例对注入剂量进行自动补偿；所述的牺牲氧化层的膜厚波动中心值为T0。
4.如权利要求3所述的改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：所述的离子注入中，还包括：
5.如权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：
2.如权利要求1所述的改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：所述的半导体衬底包括硅衬底、锗硅衬底、砷化镓衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底。
3.如权利要求1所述的改善薄片电阻稳定性的方法，其特征在于：对打开的离子注入窗口进行离子注入，离子注入剂量是根据每lot批次注入前测量得到的牺牲氧化层的厚度t，按比例对注入剂量进行自动补偿；所述的牺牲氧化层的膜厚波动中心值为t0。
4.如权利要求3所述的改善薄片电阻稳定性的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：李灵均，戴有江，程望阳，王蕊，熊淑平，陈立鸣，肖泽龙，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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