一种LED结构及发光装置制造方法及图纸

本申请提供了一种LED结构，其包括在AlN层和n型Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1‑z</subgt;N层之间设置的过渡层。该过渡层由至少一个周期的Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N/Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;N超晶格结构组成，每个周期包括一层Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N层与一层Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;N层；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x、y不同时取1。本申请通过设置的过渡层减小了AlN层和n型Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1‑z</subgt;N层之间的晶格常数差异，降低了AlN层和n型Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1‑z</subgt;N层因材料界面应力聚集而产生的龟裂的问题。提升了量产LED结构的表面良率，提升了LED结构的发光效率及老化光衰。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体外延生长，具体地，涉及一种led结构及发光装置。

技术介绍

1、algan基紫外led(light emitting diode，发光二极管)芯片具有使用便捷、能效高、波长范围广等优点而被广泛关注。紫外led具有无汞污染、波长可控、体积小、耗电低、寿命长等优点，在杀菌消毒、医疗卫生、水与空气净化等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。目前，中波紫外线uvb(280-315nm)和深紫外线uvc(＜280nm)led通常使用c面蓝宝石作为衬底，在其上进一步生长algan量子阱作为活动区域。衬底与量子阱活动区域之间通常生长有一层aln和一层高铝组分n型alzga1-zn。但是，aln层与高铝组分n型alzga1-zn层之间存在晶格常数差异，容易导致aln层与高铝组分n型alzga1-zn层出现裂纹、缺陷向上串延等问题，影响led的发光效率。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种led结构及发光装置，以提高led的发光效率及提升量产表面良率。

2、为了实现上述目的，本申请采用以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中x、y的取值分别为60％≤x≤90％，60％≤y≤90％。

3.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中x＞y。

4.如权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中x的取值为80％≤x≤90％，y的取值为60％≤y≤70％。

5.如权利要求4所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/Al...

【技术特征摘要】

1.一种led结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x、y的取值分别为60％≤x≤90％，60％≤y≤90％。

3.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x＞y。

4.如权利要求3所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x的取值为80％≤x≤90％，y的取值为60％≤y≤70％。

5.如权利要求4所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中，alxga1-xn层与alyga1-yn层的浓度恒定。

6.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中，每个周期内的alxga1-xn层的厚度与alyga1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仲杰，张国华，黄景蜂，蓝永凌，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：