【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电显示，具体涉及一种高压发光芯片及其制作方法、显示装置。
技术介绍
1、高压led芯片是一种以发光二极管(light-emitting diode，简称led)作为发光源，适于直接高压驱动的发光芯片。在相关技术中，倒装高压led芯片的表面设有反射层；然而该反射层容易出现裂纹，环境中的水汽可能沿裂纹入侵而造成芯片漏电，使芯片的使用寿命缩短。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种高压发光芯片及其制作方法、显示装置，可以消除或至少降低反射层出现裂纹的风险，提高芯片的可靠性和保证芯片的使用寿命。
2、第一方面，本申请实施例提供一种高压发光芯片，包括：衬底；多个子芯片结构，依次间隔地设置于所述衬底上，相邻子芯片结构之间形成隔离沟道；绝缘层，设置于所述衬底上，所述绝缘层覆盖所述多个子芯片结构并填平所述隔离沟道，所述绝缘层上远离所述衬底的一侧表面设有多个第一过孔；串联电极层，设置于所述绝缘层上远离所述衬底的一侧表面，所述串联电极层包括至少一个串联电极结构，相邻两个子芯片结构通过一所述串联电极结构串联，所述串联电极结构通过所述第一过孔和所述子芯片结构电连接；反射层，设置于所述衬底上，所述反射层覆盖所述绝缘层和所述串联电极层。
3、在一些实施例中，所述反射层上设有多个第二过孔，所述绝缘层上设有多个第三过孔，所述多个第二过孔和所述多个第三过孔数量相等、且一一对应地连通设置；所述高压发光芯片包括多个外接电极，所述多个外接电极分别设置于所述反射层上，所述外接电极依次通
4、在一些实施例中，所述反射层为平坦化层，所述多个外接电极分别设置于所述反射层上远离所述衬底的一侧表面。
5、在一些实施例中，所述高压发光芯片包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述子芯片结构和所述绝缘层之间、且和所述第三过孔对应设置，所述外接电极通过所述第二过孔及所述第三过孔而和所述欧姆接触层接触。
6、在一些实施例中，所述子芯片结构包括依次层叠设置的n型半导体层、活性层和p型半导体层，所述n型半导体层和所述衬底接触，所述p型半导体层和所述绝缘层接触。
7、在一些实施例中，相邻两个子芯片结构之间形成隔离沟道，串联所述相邻两个子芯片结构的串联电极结构在所述衬底上的正投影覆盖所述隔离沟道。
8、在一些实施例中，所述串联电极层在所述衬底上的正投影和所述串联电极层所串联的子芯片结构在所述衬底上的正投影部分重叠。
9、第二方面，本申请实施例提供一种高压发光芯片的制作方法，包括：在衬底上依次间隔地形成多个子芯片结构，相邻子芯片结构之间形成隔离沟道；在所述衬底上设有所述多个子芯片结构的一侧形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述多个子芯片结构并填平所述隔离沟道，所述绝缘层上远离所述衬底的一侧表面设有多个第一过孔；在所述绝缘层上远离所述衬底的一侧表面形成串联电极层，所述串联电极层包括至少一个串联电极结构，所述串联电极结构通过所述第一过孔和所述子芯片结构电连接；在所述衬底上设有所述绝缘层的一侧形成反射层，所述反射层覆盖所述绝缘层和所述串联电极层。
10、在一些实施例中，所述在所述衬底上设有所述多个子芯片结构的一侧形成绝缘层，包括：在所述衬底上设有所述多个子芯片结构的一侧形成第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述多个子芯片结构；对所述第一绝缘介质层进行平坦化和开孔处理，形成所述绝缘层。
11、第三方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括以上任一实施例提供的高压发光芯片。
12、本申请实施例通过在多个子芯片结构和串联电极层之间设置绝缘层，使串联电极结构上远离绝缘层的一侧表面为平面区域，使得反射层中形成于串联电极结构表面的部分也不会形成段差，可以消除或至少降低反射层出现裂纹的风险，提高高压发光芯片的可靠性和保证高压发光芯片的使用寿命。
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1.一种高压发光芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高压发光芯片，其特征在于，所述反射层上设有多个第二过孔，所述绝缘层上设有多个第三过孔，所述多个第二过孔和所述多个第三过孔数量相等、且一一对应地连通设置；
3.根据权利要求2所述的高压发光芯片，其特征在于，所述反射层为平坦化层，所述多个外接电极分别设置于所述反射层上远离所述衬底的一侧表面。
4.根据权利要求2所述的高压发光芯片，其特征在于，所述高压发光芯片包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述子芯片结构和所述绝缘层之间、且和所述第三过孔对应设置，所述外接电极通过所述第二过孔及所述第三过孔而和所述欧姆接触层电连接。
5.根据权利要求1所述的高压发光芯片，其特征在于，所述子芯片结构包括依次层叠设置的N型半导体层、活性层和P型半导体层，所述N型半导体层和所述衬底接触，所述P型半导体层和所述绝缘层接触。
6.根据权利要求1所述的高压发光芯片，其特征在于，相邻两个子芯片结构之间形成隔离沟道，串联所述相邻两个子芯片结构的串联电极结构在所述衬底上的正投影覆盖所述隔离沟道
7.根据权利要求1所述的高压发光芯片，其特征在于，所述串联电极层在所述衬底上的正投影和所述串联电极层所串联的子芯片结构在所述衬底上的正投影部分重叠。
8.一种高压发光芯片的制作方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上设有所述多个子芯片结构的一侧形成绝缘层，包括：
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的高压发光芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种高压发光芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高压发光芯片，其特征在于，所述反射层上设有多个第二过孔，所述绝缘层上设有多个第三过孔，所述多个第二过孔和所述多个第三过孔数量相等、且一一对应地连通设置；
3.根据权利要求2所述的高压发光芯片，其特征在于，所述反射层为平坦化层，所述多个外接电极分别设置于所述反射层上远离所述衬底的一侧表面。
4.根据权利要求2所述的高压发光芯片，其特征在于，所述高压发光芯片包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述子芯片结构和所述绝缘层之间、且和所述第三过孔对应设置，所述外接电极通过所述第二过孔及所述第三过孔而和所述欧姆接触层电连接。
5.根据权利要求1所述的高压发光芯片，其特征在于，所述子芯片结构包括依次层叠设置的n...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑永昌，谭胜友，李健林，
申请(专利权)人：惠州视维新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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