【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、随着对实现半导体器件的高性能、高速和/或多功能化的需求增加，半导体器件的集成度也在增加。在对应于半导体器件的高度集成的趋势制造具有精细图案的半导体器件时，可以使用具有精细宽度或精细间隔距离的图案。另外，为了克服由于平面金属氧化物半导体fe t(mosfet)的尺寸减小而引起的操作特性的限制，已经努力开发包括具有三维沟道结构的finfet的半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供了一种具有提高的良品率的半导体器件。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，具有：有源区，包括彼此平行并且分别在衬底上在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区；场区域，在衬底上限定有源区；第一绝缘结构，在第一有源区和第二有源区之间的场区域上在第一水平方向上延伸；栅极结构，在衬底上在第二水平方向上延伸以与有源区和第一绝缘结构相交；源/漏区，设置在栅极结构的至少一侧，源/漏区包括设置在第一有源区上的第一源/漏区和设置在第二有源区上的第二源/漏区；以及公共接触插塞，设置在栅极结构的第一侧上，并且电连接到在第二水平方向上彼此相对的第一源/漏区和第二源/漏区。第一绝缘结构可以包括在竖直方向上与栅极结构重叠的第一部分、以及第一部分之外的第二部分，竖直方向与第一水平方向和第二水平方向垂直。第一绝缘结构的第二部分的至少一部分可以在竖直方向上与公共接触插塞重叠。
3、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：有
4、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，彼此平行并且分别在衬底上在第一水平方向上延伸；第一场区域、第二场区域和第三场区域，限定第一有源区和第二有源区，并且被第一有源区和第二有源区间隔开；第一绝缘结构，在第一有源区和第二有源区之间的第二场区域上在第一水平方向上延伸；第二绝缘结构，在第一场区域或第三场区域上平行于第一绝缘结构延伸；绝缘衬层，在第一绝缘结构和第二绝缘结构中的每一个的侧表面上在第一水平方向上延伸；栅极结构，包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构在衬底上在第二水平方向上延伸以与第一有源区和第二有源区、以及第一绝缘结构和第二绝缘结构相交，第一栅极结构和第二栅极结构在第二水平方向上彼此相对；源/漏区，包括第一源/漏区和第二源/漏区，第一源/漏区设置在栅极结构的至少一侧上，并且设置在第一有源区上，第二源/漏区设置在第二有源区上；公共接触插塞，电连接到第一源/漏区和第二源/漏区；以及栅极隔离图案，在第二绝缘结构上设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间。每个栅极结构可以包括在第二水平方向上延伸的栅电极和设置在栅电极的至少一个侧表面上的栅极间隔物。绝缘衬层和栅极间隔物可以包括相同的材料。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相对于所述衬底，所述第一绝缘结构的上表面位于比所述栅极结构的上表面的水平低的水平上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极隔离图案的上表面位于与所述栅极结构的上表面的水平相同、或比所述栅极结构的上表面的水平高的水平上。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘结构包括与所述第一绝缘结构的材料相同的材料，并且具有所处水平与所述第一绝缘结构的上表面的水平相同的上表面。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬层中的每一个具有与所述栅极间隔物中的每一个的厚度相同的厚度。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述公共接触插塞与所述
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述公共接触插塞具有延伸到所述第一绝缘结构的侧表面上的部分。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘结构包括SiN、SiON、SiCN或SiOCN中的至少一种。
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，相对于所述衬底，所述绝缘结构的上表面位于比所述栅极结构的上表面的水平低的水平上。
20.一种半导体器件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相对于所述衬底，所述第一绝缘结构的上表面位于比所述栅极结构的上表面的水平低的水平上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极隔离图案的上表面位于与所述栅极结构的上表面的水平相同、或比所述栅极结构的上表面的水平高的水平上。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘结构包括与所述第一绝缘结构的材料相同的材料，并且具有所处水平与所述第一绝缘结构的上表面的水平相同的上表面。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬层中的每一个具有与所述栅极间隔物中的每...
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