【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、随着对实现半导体器件的高性能、高速和/或多功能化的需求增加，半导体器件的集成度也在增加。在对应于半导体器件的高度集成的趋势制造具有精细图案的半导体器件时，可以使用具有精细宽度或精细间隔距离的图案。另外，为了克服由于平面金属氧化物半导体fe t(mosfet)的尺寸减小而引起的操作特性的限制，已经努力开发包括具有三维沟道结构的finfet的半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供了一种具有提高的良品率的半导体器件。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，具有：有源区，包括彼此平行并且分别在衬底上在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区；场区域，在衬底上限定有源区；第一绝缘结构，在第一有源区和第二有源区之间的场区域上在第一水平方向上延伸；栅极结构，在衬底上在第二水平方向上延伸以与有源区和第一绝缘结构相交；源/漏区，设置在栅极结构的至少一侧，源/漏区包括设置在第一有源区上的第一源/漏区和设置在第二有...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相对于所述衬底，所述第一绝缘结构的上表面位于比所述栅极结构的上表面的水平低的水平上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极隔离图案的上表面位于与所述栅极结构的上表面的水平相同、或比所述栅极结构的上表面的水平高的水平上。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘结构包括与所述第一绝缘结构的材料相同的材料，并且具有所处水平与所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相对于所述衬底，所述第一绝缘结构的上表面位于比所述栅极结构的上表面的水平低的水平上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极隔离图案的上表面位于与所述栅极结构的上表面的水平相同、或比所述栅极结构的上表面的水平高的水平上。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘结构包括与所述第一绝缘结构的材料相同的材料，并且具有所处水平与所述第一绝缘结构的上表面的水平相同的上表面。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬层中的每一个具有与所述栅极间隔物中的每...
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