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一种半导体器件，具有：有源区，包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此平行，并且分别在衬底上在第一水平方向上延伸；场区域，限定有源区；第一绝缘结构，在场区域上在第一水平方向上延伸；栅极结构，在第二水平方向上延伸以与有源区和第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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