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一种LED结构及发光装置制造方法及图纸
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文档序号:40092246
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本申请提供了一种LED结构,其包括在AlN层和n型Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1‑z</subgt;N层之间设置的过渡层。该过渡层由至少一个周期的Al<subgt;x</subg...
该专利属于泉州三安半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泉州三安半导体科技有限公司授权不得商用。
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