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本发明公开了一种改善薄片电阻稳定性的方法：形成一层牺牲氧化层作为离子注入的注入阻挡层；测量得到牺牲氧化层的厚度T；打开离子注入窗口进行离子注入，注入的剂量根据所述牺牲氧化层的厚度测量值T进行调整补偿，得到补偿后的离子注入剂量D，以离子注入剂...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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