【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种放大器电路，尤其是一种射频功率放大器电路。技术背景 在射频功率放大器集成电路中，由于HBT (异质结双极晶体管)的高功率密度和高 击穿电压特性，使其能够比其他半导体器件提供更高的效率。在高功率射频功率放大器设 计中，通过采用多个晶体管形成并联结构对功率进行平均分配，以防止过度的热量导致器 件的性能和稳定性的降低。在理想的射频电路工作过程中，电流会被均分在多个HBT晶体管中，因此局部过 热的问题不会产生。但是，实际的HBT器件各晶体管间会存在一些轻微的不对称，在实际射 频电路工作中，某个晶体管的工作温度可能会高于其他晶体管的工作温度，并产生大的电 流。具有高温的特殊晶体管因为在工作期间产生过多的热量从而可能引起热流失，并且由 于基极电流的增加而损坏晶体管，最终损坏整个功率放大器集成电路。公开号为5，608，353的美国专利公开文件中，公开了一种HBT功率放大器，如图1 所示。将从偏置电路提供的直流偏置电压DCIN经由相应的镇流电阻RalOl至RalOn分别 输送到晶体管TrlOl至TrlOn的基极B。将射频信号RFIN经由电容器ClOl至Cl...
【技术保护点】
一种射频功率放大器电路，其特征在于，输入的射频信号连接到多组三极管电路，所述多组三极管电路并联连接，每组三极管电路中，信号依次经过串联连接的一个隔直电容和一个射频电阻而到达一个三极管的基极，直流电源端分别通过一个直流电阻连接到每组三极管电路中隔直电容和射频电阻中间，各组三极管电路中的三极管的发射极都接地，集电极都连接到射频信号的输出端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，
申请(专利权)人：锐迪科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]
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