非晶硅／晶硅异质结太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池器件制备技术领域，涉及一种非晶硅／晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明专利技术对制备好铝背电极的单晶硅片进行绒面处理后，用用ＮＨ３处理单晶硅表面，然后再进行本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、透明导电薄膜的沉积，最后再制备Ａｇ栅极。使用本发明专利技术制作的太阳能电池结构简单，并且工艺程序不复杂；另外利用ＮＨ３处理单晶硅表面，降低界面隙态密度，有效提高界面质量；采用丝网印刷快速热退火形成铝背电极，代替了在背面沉积高掺杂非晶硅薄膜，避免了在双面沉积过程中不同掺杂类型带来的交叉污染和界面破坏，易于实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池器件制备
，涉及一种非晶硅/晶硅异质结太阳能 电池及其制备方法。
技术介绍
硅太阳能电池是未来绿色能源的实现者之一。为缓解未来能源应用危机，世界各 国均投入大量资金，支持硅太阳能电池的开发、研究和利用。硅太阳能电池经过近三十年的 发展，在效率、降低成本和稳定性方面有大幅度提高。在未来实际应用中，高效、廉价和稳定 是最关键的三个问题。本专利技术的非晶硅/晶硅异质结太阳能电池中单晶硅为吸收衬底，非 晶硅薄膜为发射极，铝背电极在减小背表面复合速率同时也减小串联电阻，绒面结构可对 电池内部光进行二次反射，增加光程，提高电池对光的吸收，所得到的电池具有与单晶硅电 池可比拟的高效率；采用丝网印刷快速热退火制备铝背电极，能耗较小；较薄的单晶硅片 和硅薄膜层，材料成本低，制备工艺相对简单；异质结具有好的温度特性，效率衰减很小。故 本专利技术中非晶硅/晶硅异质结太阳能电池可同时满足高效、廉价和稳定的要求。
技术实现思路
本专利技术所述，包括以下步骤(1)用RCA方法清洗双面抛光p (n)型单晶硅片；(2)以SA-6070号铝浆作为原料，在上述已清洗单晶硅片背面丝网印刷铝浆，本文档来自技高网...

【技术保护点】
非晶硅／晶硅异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，制备步骤为：（１）用ＲＣＡ方法清洗双面抛光ｐ（ｎ）型单晶硅片；（２）以ＳＡ－６０７０号铝浆作为原料，在上述已清洗单晶硅片背面丝网印刷铝浆，然后在通氧条件下，７００℃±２０℃快速热退火１～２ｍｉｎ，形成有欧姆接触的金属Ａｌ背电极；（３）用１％～２％ＨＦ溶液清洗已有铝背电极的ｐ（ｎ）型单晶硅片，经大量去离子水冲洗后，放入腐蚀液进行绒面制备，腐蚀不少于２５ｍｉｎ后取出单晶硅片，并用大量去离子水冲洗；（４）迅速将经氮气风干的单晶硅片放入ＰＥＣＶＤ真空室中，真空室本底真空度为３～６×１０↑［－４］Ｐａ，用ＮＨ３处理单晶硅表面；（５）在硅片温度为２００℃～...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾祥斌，曾瑜，张笑，姜礼华，李民英，陈宇，
申请(专利权)人：广东志成冠军集团有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]