【技术实现步骤摘要】
[]本专利技术涉及micro mini led，尤其涉及一种mip显示模组的生产方法和micromini led显示屏。
技术介绍
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技术介绍
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1、micro led巨量转移是一种led显示屏的生产方法。它通过将微小的led芯片大规模地转移到显示屏基板上，形成高密度、高亮度的显示效果。mip(micro led巨量转移)的质量问题，主要存在以下几个方面：
2、1.转移精度：在巨量转移过程中，将micro led芯片准确地转移到目标区域是一项挑战。精度不足可能导致芯片排列不整齐，影响显示效果。
3、2.转移效率：当前的mip工艺尚不能保证100％的成功转移，部分芯片可能在转移过程中损坏或丢失。降低转移效率会增加生产成本和废品率。
4、3.均匀性：micro led巨量转移过程中，不同区域的芯片密度和发光性能可能存在差异，导致显示均匀性不佳。
技术实现思路
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技术实现思路
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1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种废品率较低的mip显示模组的生产方法
2、本专利技术另一个要解决的技术问题是提供一种质量好的micro mini led显示屏。
3、为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是，一种mip显示模组的生产方法，包括以下步骤：
4、101)在玻璃承载板的顶面覆盖离型层，在离型层的顶面覆透光的热固化胶；
5、102)向热固化胶的顶面巨量转移led发光芯片；le
6、103)对玻璃承载板上的热固化胶加热固化；
7、104)在热固化胶和led发光芯片上覆盖第一封装树脂层，所述的led发光芯片是倒装led发光芯片，在第一封装树脂层的顶面上，制作模组电极电路层；模组电极电路层包括相互独立的、与mip显示模组对应的模组电路；模组电极电路层包括至少一层线路层，模组电极电路层的顶面线路层包括mip显示模组的复数个电极，led发光芯片的电极与模组电极电路层的底面线路层的线路连接；
8、105)将玻璃承载板与整板的封装体剥离后，对整板的封装体进行切割，得到多个mip显示模组封装体。
9、以上所述的mip显示模组的生产方法，所述的像素单元包括多通道led驱动控制芯片，在步骤103之前，包括向热固化胶的顶面转移多通道led驱动控制芯片的步骤；在步骤104中，多通道led驱动控制芯片与模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
10、以上所述的mip显示模组的生产方法，在步骤104中包括底面线路层制作步骤：
11、301)在第一封装树脂层的顶面上对应于所有led发光芯片的焊盘开立孔；302)对第一封装树脂层的顶面、包括所述的立孔，金属化处理后镀铜，形成第一镀铜层；
12、303)通过蚀刻去除第一镀铜层上不需要的部分，形成多个相互独立的、mip显示模组的第一线路层，即底面线路层；
13、304)在步骤104中包括顶面阻焊层的制作步骤：在顶面线路层的顶面覆盖绝缘阻焊层，绝缘阻焊层包括与mip显示模组电极对应的窗口；在模组电极电路层只有一层线路层的情况下，第一线路层同时也是顶面线路层。
14、以上所述的mip显示模组的生产方法，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
15、401)在mip显示模组的下层线路层准备与上层线路层连通的部位制作第一铜柱；
16、402)在下层的封装树脂层、下层的线路层和第一铜柱上覆盖上层的封装树脂层；
17、403)研磨上层的封装树脂层的顶面，使第一铜柱的顶面露出；
18、404)在上层的封装树脂层的顶面、包括第一铜柱的顶面，金属化后镀铜，形成第二镀铜层；
19、405)通过蚀刻去除第二镀铜层上不需要的部分，形成复数个相互独立的、mip显示模组的第二线路层。
20、以上所述的mip显示模组的生产方法，步骤401包括以下步骤：
21、501)对下层的封装树脂层的顶面和mip显示模组的下层的线路的顶面层进行金属化处理，形成金属化薄铜层，使所有mip显示模组的下层的线路层之间电连通；
22、502)在金属化薄铜层上覆膜，在膜上开出所有与第一铜柱位置对应的通孔；
23、503)在通孔中电镀形成所有的第一铜柱；
24、504)褪膜后，去除金属化薄铜层无关的部分，保留下层的线路层和第一铜柱。
25、以上所述的mip显示模组的生产方法，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
26、601)在第下层线路层面上覆第二树脂层；
27、602)在mip显示模组的下层线路层准备与上层线路层连通的部位开第二立孔；
28、603)对第二封装树脂层的顶面、包括所述的第二立孔，金属化处理后镀铜，形成第二镀铜层；
29、604)通过蚀刻去除第二镀铜层上不需要的部分，形成复数个相互独立的、mip显示模组的第二线路层；即顶面线路层。
30、以上所述的mip显示模组的生产方法，步骤105切割得到的mip显示模组封装体为n合一mip显示模组，n合一mip显示模组包括n1×m1个像素单元，n1和m1分别为正整数。
31、以上所述的mip显示模组的生产方法，步骤105切割得到的mip显示模组封装体为mip显示模组矩阵，mip显示模组矩阵为包括n2×m2个单像素单元的mip显示模组，n2和m2分别为正整数。
32、以上所述的mip显示模组的生产方法，包括mip显示模组封装体的分选步骤：对所有mip显示模组的发光效果检测在步骤104之后、步骤105之前进行，或在步骤105对整板的封装体切割后进行；对mip显示模组封装体的分选在步骤105对整板的封装体切割后进行。
33、一种micro mini led显示屏，包括封装胶层、多个按矩阵布置的像素单元和透明的屏板，包括透明的粘接胶层和n3×m3个经过分选的、权利要求1所述的mip显示模组封装体，n3和m3为正整数，n3+m3大于2；n3×m3个所述mip显示模组封装体底部的发光面通过粘接胶层粘接在屏板的顶面上，n3×m3个所述mip显示模组封装体按n3×m3的矩阵布置；所述的封装胶层覆盖在所述的粘接胶层和n3×m3个所述的mip显示模组封装体上。
34、以上所述的micro mini led显示屏，所述的mip显示模组封装体为m合一mip显示模组，m合一mip显示模组包括按n4×m4矩阵布置的像素单元，n4和m4为正整数，n4+m4大于2。
35、以上所述的micro mini led显示屏，所述的mip显示模组封装体为mip显示模组矩阵，mip显示模组矩阵为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种MIP显示模组的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，所述的像素单元包括多通道LED驱动控制芯片，在步骤103之前，包括向热固化胶的顶面转移多通道LED驱动控制芯片的步骤；在步骤104中，多通道LED驱动控制芯片与模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
3.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，在步骤104中包括底面线路层制作步骤：
4.根据权利要求3所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，步骤401包括以下步骤：
6.根据权利要求3所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，步骤105切割得到的MIP显示模组封装体为N合一MIP显示模组，N合一MIP显示模组包括N1×M1个像素单元，N1
8.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，步骤105切割得到的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为包括N2×M2个单像素单元的MIP显示模组，N2和M2分别为正整数。
9.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，包括MIP显示模组封装体的分选步骤：对所有MIP显示模组的发光效果检测在步骤104之后、步骤105之前进行，或在步骤105对整板的封装体切割后进行；对MIP显示模组封装体的分选在步骤105对整板的封装体切割后进行。
10.一种micro mini LED显示屏，包括封装胶层、多个按矩阵布置的像素单元和透明的屏板，其特征在于，包括透明的粘接胶层和N3×M3个经过分选的、权利要求1所述的MIP显示模组封装体，N3和M3为正整数，N3+M3大于2；N3×M3个所述MIP显示模组封装体底部的发光面通过粘接胶层粘接在屏板的顶面上，N3×M3个所述MIP显示模组封装体按N3×M3的矩阵布置；所述的封装胶层覆盖在所述的粘接胶层和N3×M3个所述的M IP显示模组封装体上。
11.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，所述的MIP显示模组封装体为M合一MIP显示模组，M合一MIP显示模组包括按N4×M4矩阵布置的像素单元，N4和M4为正整数，N4+M4大于2。
12.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，所述的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N5×M5矩阵布置的单像素单元的MIP显示模组，N5和M5为正整数，N5+M5大于2。
13.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，所述的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N6×M6矩阵布置的MIP显示模组，N6和M6为正整数；N6+M6大于2；所述的MIP模组包括多个像素单元，所述的像素单元包括所述的LED发光芯片和多通道LED驱动控制芯片，LED发光芯片和多通道LED驱动控制芯片与MIP显示模组的模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
14.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，包括驱动电路，驱动电路包括驱动芯片和驱动电路板，驱动电路板布置在封装胶层的顶面上，MIP显示模组封装体的电极分别通过驱动电路板的RDL电路与驱动芯片连接。
...【技术特征摘要】
1.一种mip显示模组的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，所述的像素单元包括多通道led驱动控制芯片，在步骤103之前，包括向热固化胶的顶面转移多通道led驱动控制芯片的步骤；在步骤104中，多通道led驱动控制芯片与模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
3.根据权利要求1所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，在步骤104中包括底面线路层制作步骤：
4.根据权利要求3所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，步骤401包括以下步骤：
6.根据权利要求3所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，步骤105切割得到的mip显示模组封装体为n合一mip显示模组，n合一mip显示模组包括n1×m1个像素单元，n1和m1分别为正整数。
8.根据权利要求1所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，步骤105切割得到的mip显示模组封装体为mip显示模组矩阵，mip显示模组矩阵为包括n2×m2个单像素单元的mip显示模组，n2和m2分别为正整数。
9.根据权利要求1所述的mip显示模组的生产方法，其特征在于，包括mip显示模组封装体的分选步骤：对所有mip显示模组的发光效果检测在步骤104之后、步骤105之前进行，或在步骤105对整板的封装体切割后进行；对mip显示模组封装体的分选在步骤105对整板的封装体切割后进行。
10.一种micro mini...
【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，赵标，刘庆东，沈正，
申请(专利权)人：江西鼎华芯泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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