获得高平坦度双面抛光片的方法技术

本发明专利技术涉及一种获得高平坦度双面抛光片的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：加工开始前需要确保抛光液电导率维持在2.5±0.2的范围。第二步：程序开始时，抛光压力不断从0到1500dan，压力上升阶段时间为5分钟，抛光液流量6L/min。第三步：减薄阶段是硅片厚度去除，损伤层修复；压力维持1500dan，流量需要维持在8L/min。第四步：进行平坦度优化，此时抛光压1200dan，抛光液流量6.5L/min。第五步：在1200dan压力下去除约1μm厚度后，进一步降低压力至800dan，流量4L/min，完成硅片平坦度达到目标水平的抛光过程。具有操作便捷、运行稳定性好和安全可靠性高的特点。解决硅片抛光过程中出现缺陷的问题。通过对抛光液流量和抛光压力调整，获得高平坦度双面抛光片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种获得高平坦度双面抛光片的方法。

技术介绍

1、集成电路是现代信息产业和信息社会的基础是改造和提升传统产业的核心技术。在微电子制造中离不开晶体完整高纯度高精度高表面质量的硅晶片；针对硅片的纳米级超光滑表面要求普遍采用化学机械抛光技术。

2、化学机械抛光利用混有极小磨粒的化学溶液与加工表面发生化学反应来改变其表面的化学键生成容易以机械方式去除的产物再经机械摩擦去除化学反应物获得超光滑无损伤的平坦化表面。但由于这种工艺利用化学和机械复合作用进行抛光，在抛光过程存在工艺参数多、加工过程不稳定等缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种获得高平坦度双面抛光片方法，其具有操作便捷、运行稳定性好和安全可靠性高的特点。解决硅片抛光过程中出现缺陷的问题。通过对抛光液流量和抛光压力调整，获得高平坦度双面抛光片。

2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

3、一种获得高平坦度双面抛光片的方法，包括如下操作本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：抛光液对硅片腐蚀主要通过抛光液中碱性基团作用，控制抛光液电导率是为了保持加工过程中化学作用稳定。

3.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：减薄阶段流量低于6L/min时，机械作用明显大于化学作用，不利于获得高的平坦度且表面易出现抛光损伤。

4.根据权利要求1或3所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：为了维持抛光化学作用，在减薄阶段抛光液温度需要维持25±1℃范围。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：抛光液对硅片腐蚀主要通过抛光液中碱性基团作用，控制抛光液电导率是为了保持加工过程中化学作用稳定。

3.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：减薄阶段流量低于6l/min时，机械作用明显大于化学作用，不利于获得高的平坦度且表面易出现抛光损伤。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文军，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：