【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种获得高平坦度双面抛光片的方法。
技术介绍
1、集成电路是现代信息产业和信息社会的基础是改造和提升传统产业的核心技术。在微电子制造中离不开晶体完整高纯度高精度高表面质量的硅晶片；针对硅片的纳米级超光滑表面要求普遍采用化学机械抛光技术。
2、化学机械抛光利用混有极小磨粒的化学溶液与加工表面发生化学反应来改变其表面的化学键生成容易以机械方式去除的产物再经机械摩擦去除化学反应物获得超光滑无损伤的平坦化表面。但由于这种工艺利用化学和机械复合作用进行抛光，在抛光过程存在工艺参数多、加工过程不稳定等缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种获得高平坦度双面抛光片方法，其具有操作便捷、运行稳定性好和安全可靠性高的特点。解决硅片抛光过程中出现缺陷的问题。通过对抛光液流量和抛光压力调整，获得高平坦度双面抛光片。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种获得高平坦度双面抛光片的方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：加工开始前需要确保抛光液电导率维持在2.5±0.2的范围。
5、第二步：程序开始时，抛光压力不断从0到1500dan，压力上升阶段时间为5分钟，抛光液流量6l/min。前期硅片表面粗糙度大，化学作用快，当前流量有效缓解压力上升时pad对硅片表面机械去除。
6、第三步：减薄阶段是硅片厚度去除，损伤层修复；减薄阶段压力维持15
7、减薄阶段的平坦度不断降低趋近目标值，由于化学作用和机械作用较快，对硅片表面微观厚度高低起伏无法进一步缩短。
8、第四步：在损伤层去除后开始进行平坦度优化，此时抛光压1200dan，抛光液流量6.5l/min。通过降低整体抛光速率，使硅片表面能更均匀去除，表面高低起伏一致性会更加均匀，平坦度更高。
9、第五步：在1200dan压力下去除约1μm厚度后，进一步降低压力至800dan，抛光液流量4l/min，完成硅片平坦度达到目标水平的抛光过程。通过多次实验发现在平坦度优化时，继续降低抛光速率，硅片的平坦度几乎无明显变化，且加工效率大大降低。
10、作为优选，抛光液对硅片腐蚀主要通过抛光液中碱性基团作用，控制抛光液电导率是为了保持加工过程中化学作用稳定。
11、作为优选，减薄阶段流量低于6l/min时，机械作用明显大于化学作用，不利于获得高的平坦度且表面易出现抛光损伤。
12、作为优选，为了维持抛光化学作用，在减薄阶段抛光液温度需要维持25±1℃范围。
13、作为优选，抛光本质是化学作用和机械作用之间相互此消彼长，使两种作用达到最佳配合，加工出高平坦度硅片，所获得的抛光片gbir＜100nm；sfqr（26*8）＜10nm；esfqr（35ee2）＜15nm。
14、本专利技术能够达到如下效果：
15、本专利技术提供了一种获得高平坦度双面抛光片的方法，与现有技术相比较，具有操作便捷、运行稳定性好和安全可靠性高的特点。解决硅片抛光过程中出现缺陷的问题。通过对抛光液流量和抛光压力调整，获得高平坦度双面抛光片。
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1.一种获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：抛光液对硅片腐蚀主要通过抛光液中碱性基团作用，控制抛光液电导率是为了保持加工过程中化学作用稳定。
3.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：减薄阶段流量低于6L/min时，机械作用明显大于化学作用，不利于获得高的平坦度且表面易出现抛光损伤。
4.根据权利要求1或3所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：为了维持抛光化学作用，在减薄阶段抛光液温度需要维持25±1℃范围。
5.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：抛光本质是化学作用和机械作用之间相互此消彼长，使两种作用达到最佳配合，加工出高平坦度硅片，所获得的抛光片GBIR＜100nm；SFQR（26*8）＜10nm；ESFQR（35EE2）＜15nm。
【技术特征摘要】
1.一种获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：抛光液对硅片腐蚀主要通过抛光液中碱性基团作用，控制抛光液电导率是为了保持加工过程中化学作用稳定。
3.根据权利要求1所述的获得高平坦度双面抛光片的方法，其特征在于：减薄阶段流量低于6l/min时，机械作用明显大于化学作用，不利于获得高的平坦度且表面易出现抛光损伤。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文军，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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