晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用技术

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用。晶体硅太阳能电池包括基底层；基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层的表面设置有第三掺杂多晶硅层；和/或第二掺杂多晶硅层的表面设置有第四掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层、第三掺杂多晶硅层和第四掺杂多晶硅层与基底层的极性相同或相反，且第三掺杂多晶硅层掺杂有第一元素，第四掺杂多晶硅层掺杂有第二元素，第一元素和第二元素分别独立地选自碳元素或氧元素。本申请中的晶体硅太阳能电池具有较高的电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用。

技术介绍

1、隧穿氧化层钝化接触(topcon)电池，因其隧穿层独特的隧穿特性能够显著降低电子与空穴的复合，可以显著增加电池，尤其是双面poly电池的开路电压和电流密度。

2、然而，目前双面poly结构电池的电池效率仍然较低，究其原因，制约双面poly电池效率进一步提升的主要因素是无论正结太阳能电池，还是背结太阳能电池中的掺杂多晶硅层具有较高的寄生吸收现象，从而导致其电流密度较低，进而降低了电池的电池效率。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种能够降低寄生吸收现象，提升电池效率的晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用。

2、第一方面，本申请提供一种晶体硅太阳能电池，包括：基底层；所述基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，所述基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；

3、所述第一掺杂多晶硅层的表面设置有第三掺杂多晶硅层；和/或，所述第二掺杂多晶硅层的表面设置有第四掺杂多晶硅层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：基底层；所述基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，所述基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；

2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层之间还设置有第三隧穿层；

3.如权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层之间还设置有第四隧穿层；

4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，满足以下特征中的至少一项：

5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，在所...

【技术特征摘要】

1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：基底层；所述基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，所述基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；

2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层之间还设置有第三隧穿层；

3.如权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层之间还设置有第四隧穿层；

4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，满足以下特征中的至少一项：

5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，在所述第三掺杂多晶硅层中，所述第一元素的质量浓度为1％～5％；

6.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，王昭，韩秉伦，王子港，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：