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本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用。晶体硅太阳能电池包括基底层；基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层的表面设置有...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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