【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法。
技术介绍
1、为提高光伏发电的比例，降本和提效是光伏制造的两大主线，目前主流的光伏电池为晶体硅太阳能电池，ibc结构解决电池正面栅线遮光问题，提高了面积利用率极大的提升了光伏电池的外观、效率及实用价值，而topcon技术由于其工艺路线与传统perc电池产线极高的兼容性以及其明显的效率增益(目前报道量产效率>25.5％)，成为目前最有潜力的新型高效电池技术之一，两者叠加制备的相关电池产品相继推出。目前主流ibc结构单topcon结构电池采用p型衬底，产业化电池转换效率已超过26％。但与hjt电池相比，单topcon结构的理论极限依然难以与之媲美，而目前双polo结构电池诸多报道中所采用的制备方案均无法满足量产的需求，如何在产业化条件下改善制备工艺，实现双polo ibc电池产业化依然是一大问题。
2、传统的硅基半导体掺杂技术通常需要高温扩散过程，操作复杂，成本较高。此外，受传统方法限制，掺杂浓度与深度依赖于>900℃的扩散温度，且...
【技术保护点】
1.一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中，包括如下操作步骤：
3.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S12中，链氧氧化的温度为600℃~800℃。
4.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S13中，背表面的反射率大于40%。
5.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s1中，包括如下操作步骤：
3.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s12中，链氧氧化的温度为600℃~800℃。
4.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s13中，背表面的反射率大于40%。
5.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s14中，背面单面制备隧穿层和非晶硅本征沉积，所述隧穿层的厚度为1~2nm，所述非晶硅本征沉积的厚度为50~150nm。
6.根据权利要求1所述的基于光诱导掺杂的bc结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s2中，硼和磷的化合物按照3%~15%的体积分...
【专利技术属性】
技术研发人员：李绿洲，丁建宁，董旭，江瑶瑶，王芹芹，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：
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