【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子,特别涉及一种低导通电阻的车规级mos管及其制备方法。
技术介绍
1、mos管是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体。mos管产品可广泛的应用于电源,通讯,汽车电子,节能灯,家电等产品。具体比如:开关电源应用,恒流源,mos管可应用于放大,阻抗变换,可变电阻等。mos管工作时温度较高,因此需要提高mos管的散热能力。
2、授权公告号为“cn111916412b”的专利技术公开了一种mos管,包括mos管本体,所述mos管本体的两侧壁及底面设限位槽;所述mos管本体外侧贴紧设有散热块,该散热块设有与限位槽相适配的扣紧部,所述散热块贴紧mos管本体的端面设有陶瓷片。本专利技术解决了mos管与散热块贴合不良、容易掉落的问题,保证mos管的散热效率,提高mos管使用寿命。
3、但是,上述散热块仅贴紧mos管本体一端外侧,只能对mos管一端散热,散热效率低,散热效果较差,mos管长时间发热会降低mos管的使用寿命。
技术实现思路
1、本专利技术
...【技术保护点】
1.一种低导通电阻的车规级MOS管,其特征在于,包括:安装壳(1),安装壳(1)内设置芯片(2),安装壳(1)内填充导热材料,安装壳(1)一侧外壁设置引脚(3),引脚(3)与芯片(2)连接,安装壳(1)底部设置散热板(4),安装壳(1)前后侧壁设置第一散热组件,第一散热组件包括若干第一散热片(5),若干第一散热片(5)沿安装壳(1)侧壁长度方向等间隔设置,安装壳(1)上表面设置第二散热组件,第二散热组件包括若干第二散热片(6),第二散热片(6)与第一散热片(5)相互垂直,若干第二散热片(6)沿安装壳(1)上表面等间隔设置。
2.根据权利要求1所述的一种低导
...【技术特征摘要】
1.一种低导通电阻的车规级mos管,其特征在于,包括:安装壳(1),安装壳(1)内设置芯片(2),安装壳(1)内填充导热材料,安装壳(1)一侧外壁设置引脚(3),引脚(3)与芯片(2)连接,安装壳(1)底部设置散热板(4),安装壳(1)前后侧壁设置第一散热组件,第一散热组件包括若干第一散热片(5),若干第一散热片(5)沿安装壳(1)侧壁长度方向等间隔设置,安装壳(1)上表面设置第二散热组件,第二散热组件包括若干第二散热片(6),第二散热片(6)与第一散热片(5)相互垂直,若干第二散热片(6)沿安装壳(1)上表面等间隔设置。
2.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的车规级mos管,其特征在于,引脚(3)包括栅极引脚(7)、源极引脚(8)及漏极引脚(9),芯片(2)内对应设置栅极区、源极区及漏极区,栅极引脚(7)通过第一连接线与栅极区连接,源极引脚(8)通过第二连接线与源极区连接,漏极引脚(9)通过第三连接线与漏极区连接。
3.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的车规级mos管,其特征在于,安装壳(1)内前后对称设置第一接触块(10),芯片(2)位于两个第一接触块(10)之间,两个第一接触块(10)相互靠近一侧设置第一斜面,两个第一斜面靠近散热板(4)一端的距离大于两个第一斜面远离散热板(4)一端的距离,第一接触块(10)靠近第一散热片(5)一侧设置第一导热板(11),第一导热板(11)远离第一接触块(10)一端与第一散热片(5)连接。
4.根据权利要求3所述的一种低导通电阻的车规级mos管,其特征在于,第一接触块(10)远离散热板(4)一端设置第二接触块(12),第二接触块(12)与第一接触块(10)连接,第二接触块(12)远离第一接触块(10)一侧设置若干第二导热板(13)。
5.根据权利要求4所述的一种低导通电阻的车规级mos管,其特征在于,第二导热板(13)与第二散热片(6)一一对应,第二导热板(13)远离第二接触块(12)一端与第二散热片(6)连接。
6.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的车规级mos管,其特征在于,散热板(4)粘接在安装壳(1)底部,安装壳(1)前后侧壁下表面设...
【专利技术属性】
技术研发人员:马奕勉,陈光品,
申请(专利权)人:深圳辰达半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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