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本发明提供了一种低导通电阻的车规级MOS管及其制备方法，涉及电子技术领域，MOS管包括安装壳，安装壳内设置芯片，安装壳内填充导热材料，安装壳一侧外壁设置引脚，引脚与芯片连接，安装壳底部设置散热板，安装壳前后侧壁设置第一散热组件，第一散热组件...
该专利属于深圳辰达半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳辰达半导体有限公司授权不得商用。

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