【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器，具体而言，涉及一种体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，随着通信技术的发展，体声波谐振器因具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数高、与cmos工艺兼容等特点，在无线通信领域发挥着重要作用。其中，目前的体声波谐振器的研发和制备已经从硅基逐渐过渡到非硅基，如蓝宝石衬底和碳化硅衬底。由于蓝宝石衬底和碳化硅衬底在形成准单晶压电薄膜方面有显著的优势，因此它们被视为提升体声波谐振器性能的重要手段之一。
2、受限于刻蚀工艺的复杂性和成本过高的问题，现有技术中如何在蓝宝石衬底或碳化硅衬底上形成空腔，如何在生长压电薄膜后去除蓝宝石衬底或碳化硅衬底等问题上难以找到合适的解决方案。因此，如何采用一种简单的制备工艺得到具有单晶薄膜的体声波谐振器是目前亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种体声波谐振器及其制备方法，该体声波谐振器的制备方法通过在键合转移单晶层之前先制作好牺牲层，能够避免二次键合转移，从而极大简化制备工艺。
2、本专利技术的实施例是这样实现的：
3、本专利技术的一方面，提供一种体声波谐振器的制备方法，该体声波谐振器的制备方法包括：对单晶层进行离子注入，以在单晶层内形成损伤层；在单晶层上形成牺牲层，并对牺牲层进行图案化以形成牺牲图案；在牺牲图案上形成第一键合层，以得到第一器件；在衬底上形成第二键合层，以得到第二器件；键合第一器件的第一键合层和第二器件的第二键合层；沿损伤层去除位于损伤层背离衬底一
4、可选地，对单晶层进行离子注入，以在单晶层内形成损伤层，包括：采用h+离子对单晶层进行离子注入，以在单晶层内形成损伤层。
5、可选地，在单晶层上形成牺牲层，并对牺牲层进行图案化以形成牺牲图案之前，方法还包括：刻蚀单晶层靠近损伤层的一面，以在单晶层的一面形成凸起结构。
6、可选地，凸起结构在单晶层上的正投影呈环形设置。
7、可选地，凸起结构在衬底上的正投影位于体声波谐振器的谐振区域内。
8、可选地，凸起结构的高度在20nm至200nm之间；和/或，凸起结构的宽度在2.0μm至5.0μm之间。
9、可选地，沿损伤层去除位于损伤层背离衬底一侧的部分单晶层，以得到第三器件，包括：对键合后的第一器件和第二器件进行热处理，以使单晶层沿损伤层断裂并去除脱离第二器件的单晶层，以得到第三器件。
10、可选地，单晶层的材料为碳化硅。
11、可选地，第一键合层和第二键合层的材料均为二氧化硅。
12、本专利技术的另一方面，提供一种体声波谐振器，该体声波谐振器由上述的体声波谐振器的制备方法制备得到。
13、本专利技术的有益效果包括：
14、本申请提供的体声波谐振器的制备方法，包括：对单晶层进行离子注入，以在单晶层内形成损伤层；在单晶层上形成牺牲层，并对牺牲层进行图案化以形成牺牲图案；在牺牲图案上形成第一键合层，以得到第一器件；在衬底上形成第二键合层，以得到第二器件；键合第一器件的第一键合层和第二器件的第二键合层；沿损伤层去除位于损伤层背离衬底一侧的部分单晶层，以得到第三器件；在第三器件上依次形成下电极、压电层和上电极；释放牺牲图案。本申请通过在键合转移单晶层之前先制作好牺牲图案，这样，在整个制备过程中只需要一次键合转移(即单晶层的转移)，能够避免二次键合转移，从而极大简化制备工艺；另外，本申请采用单晶层作为生长模板，相对于现有技术而言，其与压电层的晶格匹配性能更好，更有利于长出单晶压电层；且本申请的单晶层作为功能还能降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积，并且有利于提高体声波谐振器的品质因子。
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1.一种体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述对单晶层进行离子注入，以在所述单晶层内形成损伤层，包括：
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述在所述单晶层上形成牺牲层，并对所述牺牲层进行图案化以形成牺牲图案之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述凸起结构在所述单晶层上的正投影呈环形设置。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述凸起结构在所述衬底上的正投影位于体声波谐振器的谐振区域内。
6.根据权利要求4所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述凸起结构的高度在20nm至200nm之间；和/或，所述凸起结构的宽度在2.0μm至5.0μm之间。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述沿所述损伤层去除位于所述损伤层背离所述衬底一侧的部分所述单晶层，以得到第三器件，包括：
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层的材料均为二氧化硅。
10.一种体声波谐振器，其特征在于，由权利要求1至9中任意一项所述的体声波谐振器的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述对单晶层进行离子注入，以在所述单晶层内形成损伤层，包括：
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述在所述单晶层上形成牺牲层，并对所述牺牲层进行图案化以形成牺牲图案之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述凸起结构在所述单晶层上的正投影呈环形设置。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述凸起结构在所述衬底上的正投影位于体声波谐振器的谐振区域内。
6.根据权利要求4所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀，林炳辉，高超，邹杨，周杰，王雅馨，杨婷婷，汪泽凯，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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