【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mems传感器的，尤其涉及一种基于铙钹结构的mems传感器的制备方法及其封装方法。
技术介绍
1、目前，mems(micro-electro-mechanical system，微电子机械系统)技术取得了飞速的发展，mems器件在结构上具有尺寸小、厚度薄等特点，产品可批量生产，全自动化组装具有成本优势，很多宏观上的大尺寸的传感器、执行器都转向mems结构。
2、铙钹结构常用于压电换能器结构。目前对于铙钹结构的研究仍建立在厘米等较大的尺寸下，铙钹端盖采用宏观的压铸方式形成，整体铙钹结构则是采用胶水粘合的方式制造。而常见的宏观制备方式不可能应用到微米级的mems传感器上，因此亟需提出一种将铙钹结构应用于mems传感器中的制备方法。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种基于铙钹结构的mems传感器的制备方法及其封装方法，以实现微米级的铙钹结构，并将微米级的铙钹结构应用于mems传感器，有效提高了mems传感器的输出电压和性能。
2、第一方面，本专利技术提供...
【技术保护点】
1.一种基于铙钹结构的MEMS传感器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层和所述第三牺牲层以及部分所述第一牺牲层，以使所述基底和所述下端盖层之间形成第一空隙，所述下端盖层和所述下电极层之间形成第二空隙，所述上端盖层和所述上电极层之间形成第三空隙之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基底一侧表面形成第一结构层，包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述上电极层远离所述基底一侧形成第二结构层，所述第二结构层包括第三牺牲层和上端盖层，
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【技术特征摘要】
1.一种基于铙钹结构的mems传感器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层和所述第三牺牲层以及部分所述第一牺牲层，以使所述基底和所述下端盖层之间形成第一空隙，所述下端盖层和所述下电极层之间形成第二空隙，所述上端盖层和所述上电极层之间形成第三空隙之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基底一侧表面形成第一结构层，包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述上电极层远离所述基底一侧形成第二结构层，所述第二结构层包括第三牺牲层和上端盖层，包括：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述上电极层远离所述基底一侧表面形成第二结构层之后，还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙成亮，杨超翔，刘炎，蔡耀，国世上，孙博文，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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