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本发明公开了一种基于铙钹结构的MEMS传感器的制备方法及其封装方法，制备方法包括：提供基底；在基底一侧形成第一结构层，下端盖层朝向基底突出形成第一凸起，第一牺牲层位于下端盖层和基底之间，第二牺牲层位于第一凸起中；在第一结构层远离基底一侧依次...
该专利属于武汉敏声新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏声新技术有限公司授权不得商用。

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