MEMS器件和制造MEMS器件的方法技术

本发明专利技术涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件包括：处理层，包括至少一个腔和至少一个悬挂结构；第一器件层，包括至少一个静态电极；第二器件层，包括可移动地悬挂在第一器件层上方的至少一个感震元件；以及盖层。至少一个感震元件充当至少一个可移动电极，或者至少一个感震元件机械地耦接以与至少一个可移动电极一起移动。处理层、第一器件层、第二器件层和盖层、在处理层与第一器件层之间的第一电绝缘层以及在第一器件层与第二器件层之间的第二电绝缘层被配置成形成壳体，该壳体包括至少一个感震元件、至少一个静态电极和至少一个可移动电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mems器件和生产mems器件的方法。更具体地，本专利技术涉及包括两个器件层的mems器件和用于制造双层mems器件的方法。

技术介绍

1、使用硅基技术制造的微机电系统(mems)器件是广泛的。mems器件的典型应用是惯性传感器，其检测加速度和角速度中的至少一个。该类型的mems器件广泛用于消费、汽车和工业应用中。

2、mems器件中的电容感测通过检测由两个电极之间的距离变化引起的电容变化来实现。通常，在可移动电极与一个或更多个静态电极之间感测电容。

3、在用于惯性感测的典型电容mems器件中，在诸如处理晶片或盖晶片的衬底上设置静态电极。例如，可以在衬底晶片的表面上设置金属电极。mems器件经受各种应力源。在部件的封装期间，诸如模制的方法的一些步骤对衬底施加压力。不同的材料具有不同的热特性，并且因此，由于mems器件封装内的材料的热膨胀的差异，衬底也可能经受压力。mems器件也可能经受各种外力，从而引起衬底的形状的变化。使用mems器件的环境可能经受大的温度变化、振动、撞击等，所有这些都在mems器件上引起应力。当静态本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微机电系统MEMS器件，包括至少一个电容电极对，所述至少一个电容电极对包括至少一个静态电极和至少一个可移动电极，所述器件按从下到上的顺序包括：

2.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，所述第一器件层和所述第二器件层两者包括单晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的微机电系统器件，其中，所述第二器件层的厚度至少是所述第一器件层的厚度的两倍。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微机电系统器件，其中，所述第一电绝缘层和所述第二电绝缘层包括硅氧化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的微机电系统器件，其中，存在至少在所述第一器件层与所...

【技术特征摘要】

1.一种微机电系统mems器件，包括至少一个电容电极对，所述至少一个电容电极对包括至少一个静态电极和至少一个可移动电极，所述器件按从下到上的顺序包括：

2.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，所述第一器件层和所述第二器件层两者包括单晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的微机电系统器件，其中，所述第二器件层的厚度至少是所述第一器件层的厚度的两倍。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微机电系统器件，其中，所述第一电绝缘层和所述第二电绝缘层包括硅氧化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的微机电系统器件，其中，存在至少在所述第一器件层与所述第二器件层之间延伸的至少一个多晶硅馈通件，用于将所述第一器件层的结构元件电耦接至所述第二器件层的结构元件和/或设置在所述盖层中的电连接件。

6.根据权利要求5所述的微机电系统器件，其中，还存在从所述第一器件层的结构元件的面朝向所述第二器件层的结构元件的相对面延伸的至少一个多晶硅凸起。

7.根据权利要求5或6所述的微机电系统器件，其中，已在所述至少一个多晶硅馈通件周围去除所述第二电绝缘层中的电绝缘材料，使得所述至少一个多晶硅馈通件是所述第一器件层和所述第二器件层的相应结构元件之间的唯一机械接触。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的微机电系统器件，其中，所述第一器件层还包括被配置成提供电连接的至少一个信号承载梁。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的微机电系统器件，还包括在所述第二器件层与所述盖层之间的金属接合层。

10.一种用于制造根据权利要求1至9中任一项所述的微机电系统器件的方法，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述方法包括：在在所述第二电绝缘层上熔融接合所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔蒂·托尔凯利，福光政和，安斯·布卢姆奎斯特，马蒂·柳库，维莱佩卡·吕特克宁，大川忠行，基尔皮宁·彼得里，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：