一种薄膜体声波谐振器及其制备方法技术

技术编号:42502645 阅读:21 留言:0更新日期:2024-08-22 14:16
本发明专利技术公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。薄膜体声波谐振器包括衬底;牺牲层,位于衬底的一侧,牺牲层中包括第一空腔,第一空腔沿牺牲层的厚度方向贯穿牺牲层;辅助生长层,位于牺牲层背离衬底的一侧,沿牺牲层的厚度方向,辅助生长层与第一空腔至多部分交叠;第一压电层,位于辅助生长层背离牺牲层的一侧,其中,形成第一压电层的材料与形成辅助生长层的材料之间的晶格匹配程度,高于形成第一压电层的材料与形成牺牲层的材料之间的晶格匹配程度;堆叠谐振结构,位于第一压电层背离辅助生长层的一侧。通过上述方案,可提高谐振堆叠结构各膜层的生长质量,增加薄膜体声波谐振器的Q值,极大程度提升薄膜体声波谐振器性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及谐振器,尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法


技术介绍

1、随着无线通讯技术的快速发展,更高频段收发信息的设备越来越多,对射频前端电路的要求越来越苛刻,因此高性能滤波器的市场需求越来越大。体声波滤波器凭借其高品质因子、带外抑制好、高矩形系数等特点,正逐渐成为市场的主流。

2、体声波滤波器是由多个谐振器按特定电路级联构成。高性能滤波器需要高性能谐振器,高性能谐振器具有高品质因子,高品质因子能让滤波器具有更小的插入损耗和更陡峭的滚降特性,拥有更优越的滤波性能。综上所述,制备稳定性高、性能优越的谐振器非常重要。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,以提升薄膜体声波谐振器中膜层的生长质量,优化薄膜体声波谐振器的性能。

2、第一方面,本专利技术实施例提供了一种薄膜体声波谐振器,包括:

3、衬底;

4、牺牲层,位于所述衬底的一侧,所述牺牲层中包括第一空腔,所述第一空腔沿所述牺牲层的厚度方向贯穿所述牺牲层;

...

【技术保护点】

1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述辅助生长层中包括第二空腔,沿所述牺牲层的厚度方向,所述第二空腔与所述第一空腔交叠;

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,沿所述牺牲层的厚度方向,所述第一空腔和所述第二空腔重合。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述堆叠谐振结构包括层叠设置的第一电极、第二压电层和第二电极;

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括第三压电层,所述第三压电层位于所述第二电极背离所...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述辅助生长层中包括第二空腔,沿所述牺牲层的厚度方向,所述第二空腔与所述第一空腔交叠;

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,沿所述牺牲层的厚度方向,所述第一空腔和所述第二空腔重合。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述堆叠谐振结构包括层叠设置的第一电极、第二压电层和第二电极;

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括第三压电层,所述第三压电层位于所述第二电极背离所述第二压电层的一侧。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩金钊蔡耀代金豪孙博文孙成亮国世上
申请(专利权)人:武汉敏声新技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1