【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及具有止裂环结构的半导体芯片。
技术介绍
1、如本领域已知的，在晶圆上完成集成电路的制造之后，接着会执行芯片分割工艺，沿着划线切割晶圆。然而，晶圆切割可能会导致集成电路的损坏，这种损坏可能源于硅衬底表面上方和下方的裂纹扩展，从而导致严重的芯片损坏或故障。
2、为了避免裂纹扩展，现有技术多采用双轨或多轨止裂环结构。双轨或多轨止裂环结构通常布置在晶体管区域周边及拐角。然而，现有技术的双轨或多轨止裂环结构占用到较大的芯片面积。因此，需要一种更可靠且成本效益更高的止裂环结构，以减少或消除晶圆切割过程中对芯片的裂纹扩展损伤。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种改进的具有止裂环结构的半导体芯片，以解决上述现有技术的不足或缺陷。
2、本专利技术一方面提供一种半导体芯片，包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的晶体管区域；以及位于所述硅衬底上的止裂环结构，所述止裂环结构设置于所述晶体管区域的周围，其中，所述止裂环结构包含周边止裂结构，其沿着所述半导体芯片的侧边环绕着所述晶体管区域，以及拐角止裂结构，仅设置在所述半导体芯片的拐角，其中，所述拐角止裂结构与所述周边止裂结构的相应对角均为直角，并且以互不垂直的方式相连接，于所述拐角构成封闭区域，其中，在所述硅衬底上另有堆栈介电层，包括中间介电层、金属层间介电层和上层绝缘层，所述周边止裂结构和所述拐角止裂结构由形成在所述堆栈介电层中的金属层所构成。
3、根据本专利技术实施例，所述封
4、根据本专利技术实施例，所述周边止裂结构位于所述侧边朝内第一预定距离的位置，所述第一预定距离介于10至200微米。
5、根据本专利技术实施例，所述周边止裂结构和所述拐角止裂结构之间保持第二预定距离，所述第二预定距离介于0.5至5微米。
6、根据本专利技术实施例，所述周边止裂结构的宽度介于2-20微米，所述拐角止裂结构的宽度介于2-20微米。
7、根据本专利技术实施例，所述金属层包含金属导线和金属通孔，且所述周边止裂结构包含由连续的所述金属导线和金属通孔所构成的第一侧边金属墙。
8、根据本专利技术实施例，所述拐角止裂结构在其两端具有由连续的所述金属导线和所述金属通孔所构成的第二侧边金属墙，并且在所述拐角止裂结构两端的所述第二侧边金属墙之间的所述金属导线或所述金属通孔是不连续结构。
9、根据本专利技术实施例，所述不连续结构包含单独的所述金属通孔或片段的所述金属导线。
10、根据本专利技术实施例，所述拐角止裂结构两端的所述第二侧边金属墙之间包含至少一在宽度方向上为连续的所述金属导线。
11、本专利技术的双轨或多轨止裂环结构仅仅设置于芯片的拐角位置，因此，较不占用芯片面积，更可靠且成本效益更高，而且能够有效地消除晶圆切割过程中对芯片的裂纹扩展损伤。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述封闭区域是L型封闭区域。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述周边止裂结构位于所述侧边朝内第一预定距离的位置，所述第一预定距离介于10至200微米。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述周边止裂结构和所述拐角止裂结构之间保持第二预定距离，所述第二预定距离介于0.5至5微米。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述周边止裂结构的宽度介于2-20微米，所述拐角止裂结构的宽度介于2-20微米。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述金属层包含金属导线和金属通孔，且所述周边止裂结构包含第一侧边金属墙，所述第一侧边金属墙由连续的所述金属导线和金属通孔所构成。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，所述拐角止裂结构在其两端具有第二侧边金属墙，所述第二侧边金属墙由连续的所述金属导线和所述金属通孔所构成，并且在所述拐角止裂结构两端的所述第二侧边金属墙之间的所述金属导
8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述不连续结构包含单独的所述金属通孔或片段的所述金属导线。
9.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述拐角止裂结构两端的所述第二侧边金属墙之间包含至少一在宽度方向上为连续的所述金属导线。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述封闭区域是l型封闭区域。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述周边止裂结构位于所述侧边朝内第一预定距离的位置，所述第一预定距离介于10至200微米。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述周边止裂结构和所述拐角止裂结构之间保持第二预定距离，所述第二预定距离介于0.5至5微米。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述周边止裂结构的宽度介于2-20微米，所述拐角止裂结构的宽度介于2-20微米。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴卓杰，
申请(专利权)人：杭州积海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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