【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体仿真建模，涉及但不限于一种密封环可靠性的评估方法。
技术介绍
1、在半导体的制作工艺中，晶圆完成制程之后，需要对晶圆按照预先设定好的切割道(scribe line)或者切割线进行切割，将大尺寸的晶圆切割、分解成多个具有电性功能的半导体器件或者半导体结构，这些器件或者结构可定义为die，再将这些die经过封装制作成芯片，应用于集成电路。
2、在切割的过程中为了降低芯片受到切割工艺的损害，会在芯片和切割道之间引入密封环。当密封环难以阻挡晶圆切割过程中扩展的微裂纹时，芯片中的电子元器件和电路会产生断裂或电性能影响。目前，对密封环可靠性进行评估大多是对成型后的试样进行切片测试，以确定密封环的可靠性，这极大地增加了测试时间、且成本较高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法；所述方法包括：
2、根据密封环实际结构构建所述密封环的仿真模型；所述仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；
3、定义所述仿真模型的测试应力和测试温度；
4、在所述测试温度下，向所述仿真模型的受力面施加所述测试应力，以确定所述密封环中所述金属层的形变性能；其中，所述仿真模型的受力面与所述第一方向和所述第二方向构成的平面平行；
5、在所述形变性能满足预设条件的情况下，确认所述密封环的可靠性满足要求。
6、在一些实施例中，所述测试应力包括：第一测试
7、向所述仿真模型的受力面施加所述测试应力，以确定所述密封环中所述金属层的形变性能，包括：
8、向所述仿真模型的第一受力区域施加所述第一测试应力，以确定所述密封环中所述金属层的形变性能；和/或，
9、向所述仿真模型的第二受力区域施加所述第二测试应力，以确定所述密封环中所述金属层的形变性能；
10、其中，所述第一受力区域与所述第二受力区域均位于所述仿真模型的受力面内，且第一受力区域位于所述第二受力区域之下。
11、在一些实施例中，所述第一测试应力的作用方向垂直于所述第一受力区域；所述第二测试应力的作用方向平行于所述第二受力区域。
12、在一些实施例中，所述受力面沿所述第一测试应力的作用方向距离所述金属层具有第一预设距离。
13、在一些实施例中，所述形变性能包括冯米赛斯应力和/或位移；在所述形变性能满足预设条件的情况下，确认所述密封环的可靠性满足要求，包括：
14、在所述冯米赛斯应力小于预设应力的情况下，确认所述密封环的可靠性满足要求；和/或，
15、在所述位移大于预设位移的情况下，确认所述密封环的可靠性满足要求。
16、在一些实施例中，根据密封环实际结构构建所述密封环的仿真模型，包括：
17、定义具有第一预设厚度的基底；
18、在所述基底表面定义多层所述金属层；所述金属层至少包括间隔交替排布的第一金属结构和第二金属结构；所述第一金属结构与所述第二金属结构均沿第一方向延伸，且所述第二金属结构沿所述第一方向延伸至所述第一金属结构的内部；所述第一金属结构与相邻的所述第二金属结构在垂直于所述第一方三方向上的投影部分重叠；所述第三方向垂直于所述第一方向以及所述第二方向构成的平面；
19、在相邻所述金属层之间定义多个金属柱金属过孔，以构建密封环的仿真模型。
20、在一些实施例中，在所述基底表面定义多层所述金属层，包括：
21、在所述基底表面定义具有第二预设厚度的第一介质层；
22、通过具有预设图案的掩模，刻蚀部分厚度的所述第一介质层，形成第一沟槽；所述第一沟槽包括间隔交替排布的第一子沟槽和第二子沟槽；在所述第一子沟槽中形成所述第一金属结构，在所述第二子沟槽中形成所述第二金属结构。
23、在一些实施例中，所述第一金属结构为工字形，所述第二金属结构为一字形。
24、在一些实施例中，所述第一金属结构为双一字形，所述第二金属结构为一字形。
25、在一些实施例中，在相邻所述金属层之间定义多个金属柱金属过孔，以形成密封环的仿真模型，包括：
26、在相邻所述第一介质层之间定义具有第三预设厚度的第二介质层；
27、依次刻蚀所述金属层、所述第一介质层和所述第二介质层，直至暴露出最底层的所述金属层，形成多个第二沟槽；
28、在所述第二沟槽中形成所述金属柱金属过孔，以形成所述仿真模型。
29、在一些实施例中，所述仿真模型为所述密封环实际结构的一部分。
30、本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在测试温度下，向仿真模型的受力面施加测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。由于本申请实施例中可以基于互连仿真工具定义密封装的仿真模型，这样，可以通过仿真模型模拟实际切割过程的应力分布情况过程，从而实现对密封环的可靠性进行评估，降低了测试时间以及成本，简便快捷。
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1.一种密封环可靠性的评估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试应力包括：第一测试应力和/或第二测试应力；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一测试应力的作用方向垂直于所述第一受力区域；所述第二测试应力的作用方向平行于所述第二受力区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述受力面沿所述第一测试应力的作用方向距离所述金属层具有第一预设距离。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述形变性能包括冯米赛斯应力和/或位移；在所述形变性能满足预设条件的情况下，确认所述密封环的可靠性满足要求，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据密封环实际结构构建所述密封环的仿真模型，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基底表面定义多层所述金属层，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一金属结构为工字形，所述第二金属结构为一字形。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在相邻所述金属层之间定义多个金属过孔，以形成密封环的仿真模型，包括：
11.根据权利要求6至10任一项所述的方法，其特征在于，所述仿真模型为所述密封环实际结构的一部分。
...【技术特征摘要】
1.一种密封环可靠性的评估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试应力包括：第一测试应力和/或第二测试应力；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一测试应力的作用方向垂直于所述第一受力区域；所述第二测试应力的作用方向平行于所述第二受力区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述受力面沿所述第一测试应力的作用方向距离所述金属层具有第一预设距离。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述形变性能包括冯米赛斯应力和/或位移；在所述形变性能满足预设条件的情况下，确认所述密封环的可靠性满足要求，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈珍，谢冬，姜玉丽，江仲开，
申请(专利权)人：湖北江城实验室科技服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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