【技术实现步骤摘要】
本申请属于晶体硅太阳能电池制造，尤其涉及一种对准图案、具有对准图案的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
1、ibc太阳电池，其中的ibc具体为interdigitated back contact，呈叉指状结构的背结太阳能电池。ibc太阳能电池是高效硅基电池最优结构选择。然而ibc结构太阳能电池需要通过多次掩膜、激光开膜或浆料印刷电极图形来构建pn结；为了节省成本、降低金属区复合，激光接触口(lco)与电极栅线宽度差5～150μm左右，因此图形化工艺过程中定位精度一直是工艺重点和难点。
2、在晶体硅太阳能电池工艺中，需要将电极浆料丝网印刷至开设在硅片的激光槽之中，以形成电极或背电场。在印刷电极或背电场过程中需要很高的定位精度，而为了提升定位精度，一般在硅片上设置有对位点(mark点)用于对位。
3、现有技术中，对位点中的内圆环相比外圆环激光光斑过密，内圆环的激光光斑重叠严重，激光形成对位点时容易造成电池碎片、漏电，且对位点激光形成时间长，导致硅太阳能电池产能低，同时也会造成硅片损伤。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种对准图案，旨在解决太阳能电池制备过程中多道光斑重叠导致硅片隐裂，全绒面造成严重金属区复合，全抛光相机识别率低的问题。
2、本申请技术方案如下：
3、1.一种对准图案，其中，
4、所述对准图案为太阳能电池基底上形成介质膜层后的对准图案，
5、所述对准图案包括位于中心的中心图案，以及依次环绕于所述
6、2.根据项1所述的对准图案，
7、任意两个相邻的环形图案表面分别选自绒面或抛光面，以及中心图案和紧靠中心图案的环形图案表面分别选自绒面或抛光面；
8、优选地，
9、绒面的反射率为不高于5％，抛光面的反射率为10％以上；
10、进一步优选地，
11、中心图案表面为绒面，紧靠中心图案的环形图案表面为抛光面，任选紧靠中心图案的环形图案的相邻的环形图案表面为绒面，依次类推；
12、或者，
13、中心图案表面为抛光面，紧靠中心图案的环形图案表面为绒面，任选紧靠中心图案的环形图案的相邻的环形图案表面为抛光面，依次类推；
14、更优选地，
15、当环形图案只有一个时，中心图案为抛光面，紧靠中心图案的环形图案表面为绒面。
16、3.根据项2所述的对准图案，
17、所述抛光面形貌呈具有矩形形状的平面；
18、优选地，所述矩形边长为2～50μm。
19、4.根据项2所述的对准图案，
20、所述绒面由若干金字塔形状的凸起组成；
21、优选地，所述金字塔形状凸起的塔基边长为2～6μm。
22、5.根据项1所述的对准图案，
23、所述绒面为微绒面或全绒面；
24、微绒面由抛光面和全绒面组成，全绒面随机分布于微绒面中，所述全绒面面积占微绒面总面积的比例为50％～99％。
25、6.根据项1所述的对准图案，
26、所述中心图案的面积为0.002～0.4mm2，
27、每个环形图案的面积为中心图案的面积的1-10倍。
28、7.一种具有对准图案的太阳能电池的制造方法，包括：
29、选取一基底，所述基底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面经抛光处理得到抛光面；
30、在所述第一表面上形成第一掩膜，通过图案化工艺在第一掩膜上形成第一图案，其中第一图案界定所述基底第一表面上的第一mark点区域；
31、在所述第一表面上形成第二掩膜，通过图案化工艺在第二掩膜上形成第二图案，其中第二图案界定所述基底第一表面上的第二mark点区域；
32、基于所述第一掩膜和所述第二掩膜，对所述第一mark点区域或所述第二mark点区域进行制绒，在所述第一mark点区域或所述第二mark点区域形成绒面结构；
33、分别去除第一掩膜和第二掩膜并在对准图案区域形成介质膜层，
34、所述对准图案是项1-7任一项所述的对准图案，其中，
35、所述第一mark点区域对应于位于中心的中心图案，所述第二mark点区域对应于至少一个环形图案；或者，
36、所述第二mark点区域对应于位于中心的中心图案，所述第一mark点区域对应于至少一个环形图案。
37、8.根据项7所述的制备方法，还包括：
38、通过图案化工艺在所述介质膜层形成开口，所述开口对应于所述对准图案；
39、在所述开口填充浆料，经退火工艺形成太阳能电池。
40、9.根据项7所述的制备方法，
41、所述基底为p型单晶硅片或n型单晶硅片，所述p型单晶硅片为硼或镓掺杂的p型硅片，所述n型单晶硅片为磷掺杂的n型硅片。
42、10.根据项7所述的制备方法，
43、第一掩膜和第二掩膜均选自sinx、硼硅玻璃、磷硅玻璃、sio2、sion中的至少一种；
44、优选地，形成的所述第一掩膜厚度和第二掩膜厚度均为30～400nm。
45、11.根据项7所述的制备方法，
46、所述图案化工艺为通过印刷保护浆料或激光开槽或腐蚀浆料制备图案化的工艺。
47、12.根据项7所述的制备方法，
48、在去除第一掩膜和第二掩膜步骤中，通过化学湿法刻蚀或激光去除第一掩膜或第二掩膜；
49、优选地，
50、去除第一掩膜和第二掩膜步骤中，所述化学湿法所用药液选自乙酸、碳酸、氟化氨、草酸、hf氢氟酸、c6h8o7柠檬酸、聚氨酯、氨基磺酸、乙二胺四乙酸中的一种或两种以上。
51、13.根据项7所述的制备方法，
52、在制绒步骤中，制绒液选自koh、naoh、lioh、csoh、nh4oh、na2co3、k2co3、na3po4中的一种或两种以上。
53、14.根据项7所述的制备方法，
54、在对准图案区域形成介质膜层步骤中，所述介质膜层选自alox、氮氧化硅、sinx中的一种或两种以上；
55、优选地，
56、所述介质膜层的厚度为5～120nm。
57、15.一种硅太阳能电池，包括项1-6任一项所述的对准图案。
58、16.一种硅太阳能电池，如项7-14任一项所述的方法制造的太阳能电池。
59、与现有技术相比，本申请的有益效果为：
60、与现有技术相比，本专利技术具有如下显著的效果：
61、(1)本专利技术所述对准图案的制备可通过电池电极制备过程实现，无需本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种对准图案，其中，
2.根据权利要求1所述的对准图案，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的对准图案，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的对准图案，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的对准图案，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的对准图案，其特征在于，
7.一种具有对准图案的太阳能电池的制造方法，包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
13.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
14.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
15.一种硅太阳能电池，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的对准图案。
16.一种硅太阳能电池，如权利要求7-14任一项所述的方法制造的
...【技术特征摘要】
1.一种对准图案，其中，
2.根据权利要求1所述的对准图案，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的对准图案，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的对准图案，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的对准图案，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的对准图案，其特征在于，
7.一种具有对准图案的太阳能电池的制造方法，包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求7所述的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙波，李中兰，鲁伟明，陈瑶，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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